Produkte > SBC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SBC847BPDW1T3G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847BPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BPDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT563 GP XSTR PNP 40V | auf Bestellung 291688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BPDXV6T1G | ONSEMI | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847BPDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BWT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 322 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847BWT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN | auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BWT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847BWT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847BWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847BWT1G-M02 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW | auf Bestellung 143831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847CDW1T1 - TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CDW1T1G | ON Semiconductor | 2-канальний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,38, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-88 NPN | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 311-315 Tag (e) |
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| SBC847CDW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 1107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V | auf Bestellung 29106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CLT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR | auf Bestellung 19202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 42495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 42495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CWT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CWT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 367-371 Tag (e) |
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| SBC847CWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC847CWT1G | On Semiconductor | TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 45V | auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC847CWT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC847CWT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC84823VGA-1.1G | Axiomtek | Single Board Computers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC84823VGA-1.3G | Axiomtek | Single Board Computers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC84833VGA-18 | Axiomtek | Single Board Computers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC84833VGA-24 | Axiomtek | Single Board Computers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC848BLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC848BLT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC848BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC848 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC848BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC848BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC848BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC848 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 29 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC848BLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC848BLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR | auf Bestellung 12824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC84K7J | TE Connectivity / Holsworthy | Wirewound Resistors - Through Hole SBC8 4K7 5% | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC84K7J | TE Connectivity Passive Product | Description: RES 4.7K OHM 5% 9W AXIAL Resistance: 4.7 kOhms Part Status: Active Number of Terminations: 2 Operating Temperature: -55°C ~ 350°C Composition: Wirewound Size / Dimension: 0.354" Square x 1.496" L (9.00mm x 38.00mm) Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Package / Case: Axial Features: Flame Proof, Safety Tolerance: ±5% Power (Watts): 9W Packaging: Bulk | auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC8530 WITH 4.3" LCD | EMBEST | Description: EMBEST - SBC8530 WITH 4.3" LCD - EVALUATION BOARD, SBC, DSP Prozessorkern: DM3730 Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: DM37x Prozessorhersteller: Texas Instruments Lieferumfang des Kits: Board, TF Card, Adapter, Ethernet, Serial, HDMI - DVI-D, S-Video & USB Cables, 4.3''LCD Antenna, DVD Prozessorserie: Cortex-A8 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC8530 WITH 4.3"LCD | EMBEST | Description: EMBEST - SBC8530 WITH 4.3"LCD - Einplatinencomputer (SBC), DM3730-MCU ARM Cortex-A8, 4.3"-LCD-Anzeige, zahlreiche Peripherien Prozessorkern: DM3730 Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: DM37x Prozessorhersteller: Texas Instruments Lieferumfang des Kits: Einplatinencomputer SBC8530, 4.3"-LCD-Anzeige mit Touchscreen Prozessorserie: Cortex-A8 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC8530 WITH 7"LCD | EMBEST | Description: EMBEST - SBC8530 WITH 7"LCD - Einplatinencomputer (SBC), DM3730-MCU ARM Cortex-A8, 7"-LCD-Anzeige, zahlreiche Peripherien Prozessorkern: DM3730 Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: DM37x Prozessorhersteller: Texas Instruments Lieferumfang des Kits: Einplatinencomputer SBC8530, 7"-LCD-Anzeige mit Touchscreen Prozessorserie: Cortex-A8 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V | auf Bestellung 2879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 11970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856ALT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856ALT1G | On Semiconductor | TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 2718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | auf Bestellung 5993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V | auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BDW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BDW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 20769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 15198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SBC856BLT1G | onsemi | Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
