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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	1.75 EUR
6000+	1.65 EUR

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SIR626DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3779 Stücke:

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68+	2.61 EUR
77+	2.26 EUR
78+	2.19 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.63 EUR
3000+	1.58 EUR

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SIR626DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 14738 Stücke:

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35+	7.15 EUR
54+	4.37 EUR
100+	3.21 EUR
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SIR626DP-T1-RE3-X

MOSFETs

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SIR626LDP-T1-BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR626LDP-T1-BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SIR626LDP-T1-BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SIR626LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SIR626LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR626LDP-T1-RE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Technology: TrenchFET®

auf Bestellung 1351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SIR626LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 4337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	3 EUR
72+	2.43 EUR
73+	2.27 EUR
100+	1.77 EUR
250+	1.65 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

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SIR626LDP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 4337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	3 EUR
72+	2.38 EUR
73+	2.15 EUR
100+	1.64 EUR
250+	1.49 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

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SIR626LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

auf Bestellung 3358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIR626LDP-T1-RE3

MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 22651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.03 EUR
1000+	1.95 EUR
3000+	1.82 EUR

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SIR626LDP-T1-UE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SIR626LDP-T1-UE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.59 EUR
10+	3.64 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	2.07 EUR
3000+	1.83 EUR

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SIR626LDP-T1-UE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 186A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SiR632DP-T1-RE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 7721 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.01 EUR
10+	2.31 EUR
100+	2.18 EUR
6000+	1.14 EUR
9000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SIR632DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm

auf Bestellung 1054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.9 EUR
91+	2.55 EUR
100+	2.23 EUR
500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR632DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.32 EUR
134+	1.3 EUR
136+	1.25 EUR
151+	1.09 EUR
250+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 133 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiR632DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V

auf Bestellung 10252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.71 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR632DP-T1-RE3

auf Bestellung 1054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.23 EUR
500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR632DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.45 EUR
133+	1.27 EUR
134+	1.21 EUR
136+	1.17 EUR
151+	1 EUR
250+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 121 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SiR632DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	0.95 EUR
9000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.73 EUR
9000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm

auf Bestellung 3154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.25 EUR
53+	4.39 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.36 EUR
1500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638ADP-T1-RE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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SIR638ADP-T1-RE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 8346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.37 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.24 EUR
250+	2.14 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.59 EUR
3000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V

auf Bestellung 22634 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.78 EUR
10+	3.75 EUR
50+	2.87 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIR638ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 7442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.52 EUR
500+	1.87 EUR
1500+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIR638ADP-T1-RE3 Transistor
Produktcode: 197167

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Transistoren > MOSFET N-CH

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SIR638ADP-T1-UE3

MOSFET

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SIR638ADP-T1-UE3

Description: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.02 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 11865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.21 EUR
91+	1.8 EUR
92+	1.71 EUR
110+	1.38 EUR
250+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.4 EUR
71+	3.3 EUR
79+	2.74 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.37 EUR
6000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 11865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	2.21 EUR
91+	1.87 EUR
92+	1.81 EUR
110+	1.49 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.19 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 1766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.4 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIR638DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.01 EUR
10+	2.53 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.93 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

auf Bestellung 8745 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.76 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638DP-T1-RE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR638DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 5530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.8 EUR
73+	2.33 EUR
100+	1.86 EUR
250+	1.77 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.24 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V

auf Bestellung 13251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.82 EUR
10+	3.09 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640ADP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP

auf Bestellung 5530 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.8 EUR
73+	2.38 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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SIR640ADP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 5195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.06 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.63 EUR
3000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR640DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR642DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR642DP-T1-GE3

MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR642DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR644DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR644DP-T1-GE3

MOSFET 40V 2.7mOhm@60A 60A N-CH

auf Bestellung 2798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR644DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR646DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR646DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR646DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR662DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR662DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIR662DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR662DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR662DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V

auf Bestellung 16933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.86 EUR
10+	3.14 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR662DP-T1-GE3

MOSFETs 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

auf Bestellung 11682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.45 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.18 EUR
3000+	2.15 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR664DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR664DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V

auf Bestellung 53971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.42 EUR
10+	2.17 EUR
50+	1.62 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR664DP-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 6976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.14 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR664DP-T1-GE3

MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR664DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.92 EUR
9000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR668ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V

auf Bestellung 6732 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 Транзистори

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SIR668ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 6990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.13 EUR
500+	2.87 EUR
1500+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 6990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	7.95 EUR
50+	4.83 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.87 EUR
1500+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR668ADP-T1-RE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 164368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.59 EUR
10+	3.33 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.43 EUR
3000+	2.31 EUR

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SIR668DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 7223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.22 EUR
53+	4.39 EUR
100+	2.94 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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SiR668DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

auf Bestellung 5591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.2 EUR
10+	4.02 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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SIR668DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SiR668DP-T1-RE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

auf Bestellung 41794 Stücke:

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1+	5.99 EUR
10+	2.95 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	2.09 EUR

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SiR668DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SIR668DP-T1-RE3

Everlight Electronics CO., LTD

Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

auf Bestellung 7223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.94 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SIR67-21C

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIR67-21C/B

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/L

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/L50

EVERLIGH

2010+ 1210

auf Bestellung 71100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SIR67-21C/L9

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/L9/TR10

Everlight

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

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SIR67-21C/TR8

Infrared Emitter 875nm 4.5mW/sr Circular Top Mount 2-Pin SMD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/TR8

EVERLIGHT

Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 120°; 875nm; SMD; 20mA; 0.5mW/sr; 1.3V
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 120°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 0.5mW/sr
Case - mm: 3528
Case - inch: 1411
Operating voltage: 1.3V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/TR8

Everlight Electronics Co Ltd

Description: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/TR8

Everlight

Infrared Emitters Infrared LED

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR67-21C/TR8

Everlight Electronics Co Ltd

Description: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR670DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR670DP-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR670DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SIR670DP-T1-GE3