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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIR626ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.4A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.73 EUR
6000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 34.2A; 4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 34.2A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
77+2.24 EUR
78+2.17 EUR
100+1.81 EUR
250+1.77 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.78 EUR
6000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
100+2.03 EUR
1000+1.9 EUR
3000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
77+2.18 EUR
78+2.08 EUR
100+1.71 EUR
250+1.63 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 14738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3
Produktcode: 197577
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.8 EUR
100+2.68 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.12 EUR
3000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.73 EUR
6000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 14738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
54+4.37 EUR
100+3.21 EUR
500+2.94 EUR
1500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
auf Bestellung 10708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.89 EUR
10+3.83 EUR
100+2.65 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626DP-T1-RE3-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 22651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
3000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.96 EUR
72+2.4 EUR
73+2.25 EUR
100+1.76 EUR
250+1.64 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 186A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
auf Bestellung 1647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
50+1.74 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.96 EUR
72+2.34 EUR
73+2.13 EUR
100+1.62 EUR
250+1.48 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+2 EUR
3000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR632DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
91+2.55 EUR
100+2.23 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR632DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
auf Bestellung 10252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR632DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.31 EUR
134+1.29 EUR
136+1.24 EUR
151+1.08 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR632DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+0.95 EUR
9000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR632DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR632DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.31 EUR
100+2.18 EUR
6000+1.14 EUR
9000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR632DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
133+1.26 EUR
134+1.2 EUR
136+1.14 EUR
151+0.99 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
auf Bestellung 3154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
53+4.39 EUR
100+2.83 EUR
500+2.36 EUR
1500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
auf Bestellung 15766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+3.06 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 8346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.81 EUR
100+2.24 EUR
250+2.14 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.42 EUR
6000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
500+1.87 EUR
1500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-RE3 Transistor
Produktcode: 197167
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638ADP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638ADP-T1-UE3VishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
71+3.3 EUR
79+2.74 EUR
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 11865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
91+1.78 EUR
92+1.69 EUR
110+1.36 EUR
250+1.27 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
auf Bestellung 8745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.53 EUR
100+2.02 EUR
250+1.93 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 11865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
91+1.84 EUR
92+1.78 EUR
110+1.48 EUR
250+1.42 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
6000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
auf Bestellung 5530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
73+2.36 EUR
100+1.9 EUR
250+1.84 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
auf Bestellung 13251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
auf Bestellung 5530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
73+2.31 EUR
100+1.84 EUR
250+1.75 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.23 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.81 EUR
100+2.05 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR640DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR642DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR642DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR642DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4155 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR644DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR644DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR644DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 2.7mOhm@60A 60A N-CH
auf Bestellung 2798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR646DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR662DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR662DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR662DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
auf Bestellung 16933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.14 EUR
100+2.17 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR662DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
auf Bestellung 11682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+2.18 EUR
3000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR662DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4365 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR662DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR664DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.14 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR664DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR664DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 30 V
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.43 EUR
500+3.15 EUR
1500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
auf Bestellung 6732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.92 EUR
100+2.71 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 165016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.59 EUR
10+3.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.43 EUR
3000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.27 EUR
50+4.91 EUR
100+3.43 EUR
500+3.15 EUR
1500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixSIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 22.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR668DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 41816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.12 EUR
3000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 5591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.2 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
54+4.34 EUR
100+2.89 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR67-21C
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR67-21C/B
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR67-21C/L
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR67-21C/L50EVERLIGH2010+ 1210
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