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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 462pF @ 5V, 1MHz
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10100TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1010ET4
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1013MOT
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.08 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10150TRSTMicroelectronicsДіод Шотткі smd, Io, A = 10, Uзвор, В = 150, Uf (max), В = 1,2, If, А = 10, Тексп, °С = -55...+150, Темп.опір,°C/Вт = 2, I, мкА @ Ur, В = 150 @ 150,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10150TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 150 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.64 EUR
34+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1016T4
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1017
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1017T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD102-00
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10200CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1028T4
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1028T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 60V TR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10300SMC Diode SolutionsDescription: 10A,300V,DPAK, TRENCH SCHOTTKY
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10300SMC Diode SolutionsDescription: 10A,300V,DPAK, TRENCH SCHOTTKY
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1030PLSTM07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1045
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1045T4
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1047T4
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1047T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 80V TR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1048T4
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1056T4SanyoDescription: N CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1056T4ONSEMIDescription: ONSEMI - STD1056T4 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1233+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1056T4-ONonsemiDescription: N CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1057T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 60V TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1057T4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1059-001onsemiDescription: NFET DPAK SPECIAL
Packaging: Bulk
auf Bestellung 15225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1059-001
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD105N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD105N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i
auf Bestellung 3126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.77 EUR
2500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD105N10F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD105N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
63+3.69 EUR
100+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD105N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.15 EUR
100+2.17 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1060SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 850 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1063T4onsemiDescription: NFET DPAK SPCL 500V TR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1063T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1065T4Rochester Electronics, LLCDescription: NFET DPAK SPECIAL
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 925 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD1084T4
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
auf Bestellung 4378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.21 EUR
100+2.95 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+4.46 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
250+3.42 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N10L
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.06 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60DM2STMN-Channel 650V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
auf Bestellung 9543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.18 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 2029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.19 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMMOSFET N-CH 600V DPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
59+1.46 EUR
68+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
auf Bestellung 8499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
63+3.69 EUR
102+2.11 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
100+2.58 EUR
250+2.43 EUR
500+2.28 EUR
1000+2.18 EUR
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF06LSTM07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF06L-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF06LT4
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF06T4
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10STM07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10-1STM07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10-T4
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10-TR
auf Bestellung 58700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10LUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10LUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10LT4
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
193+0.87 EUR
195+0.83 EUR
196+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMN-кан. HEXFET Power MOSFET, 100V, D-Pak Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.9 EUR
195+0.88 EUR
196+0.86 EUR
250+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4
Produktcode: 60161
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
86+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
233+0.74 EUR
234+0.71 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF30STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MESH OVERLAY Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD10NF30
Produktcode: 155803
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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STD10NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.09 EUR
106+1.63 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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STD10NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.36 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STD10NF30STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MESH OVERLAY Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
92+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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STD10NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.59 EUR
84+2.02 EUR
106+1.54 EUR
500+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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