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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC6091onsemiDescription: TRANS NPN 700V 8A TO-3PMLH
Supplier Device Package: TO-3PMLH
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 88985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094onsemi BIP NPN 3A 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
758+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6094-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095onsemi BIP NPN 2.5A 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+1.21 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6095-TD-EON Semiconductor
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096onsemi BIP NPN 2A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
139+1.68 EUR
211+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
139+1.68 EUR
211+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6096-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2800+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
132+1.77 EUR
199+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.74 EUR
256+0.67 EUR
259+0.63 EUR
307+0.51 EUR
311+0.49 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-ESANYOSOT252/2.5
auf Bestellung 27940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2800+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
132+1.77 EUR
199+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 23800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.69 EUR
1400+0.63 EUR
2100+0.6 EUR
3500+0.56 EUR
4900+0.54 EUR
7000+0.52 EUR
17500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.68 EUR
307+0.57 EUR
311+0.55 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
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2SC6098-TL-EON SemiconductorRF Bipolar Transistors BIP NPN 2.5A 80V
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 5179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
598+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 598 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6098-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2SC6099-TL-ESANYOTO-252 08+
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 36380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 35700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.69 EUR
1400+0.63 EUR
2100+0.6 EUR
3500+0.56 EUR
4900+0.55 EUR
7000+0.52 EUR
17500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6099-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
100+0.96 EUR
700+0.81 EUR
1400+0.69 EUR
2100+0.61 EUR
4900+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC609T
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC61NECCAN
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC610
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 42351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
28+0.76 EUR
100+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(BToshiba2SC6100,LF(B
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.4 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(BToshiba2SC6100,LF(B
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.4 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(BToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
451+0.48 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.44 EUR
405+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
721+0.25 EUR
755+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
12000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6100,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
451+0.48 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6102SanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6105ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6105(TE85L,F)ToshibaHigh Voltage Switching Applications
auf Bestellung 5433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+0.44 EUR
405+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6105(TE85L,F)Toshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC611N/A
auf Bestellung 6390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6113SanyoDescription: NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114T2LROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114T2LQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VMN3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114T2LQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SMLL SIG LO FREQ AMP 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114T2LRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRNSISTR BIPOLAR NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6114T2LRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VMN3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6116LS-YB11onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC611AN/A
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC611NN/A
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC612N/A
auf Bestellung 6890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6123(0)-Z-E1-AZRENESASSOT263/2.5
auf Bestellung 1179 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6124ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6124(TE12L,ZC)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
591+0.3 EUR
613+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 591 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6124(TE12L,ZC)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6125(TE12L,ZF)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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