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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.21 EUR
39+4.31 EUR
40+4.08 EUR
100+3.22 EUR
250+2.82 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.05 EUR
3000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
auf Bestellung 6051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.75 EUR
10+4.4 EUR
100+3.08 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.89 EUR
37+4.76 EUR
50+3.75 EUR
100+3.14 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.31 EUR
2000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 8083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.47 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6; SMT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.12 EUR
6000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL15N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N10F8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 2901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+3.81 EUR
100+2.93 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N10F8STMicroelectronicsDescription: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 100V 158A 8-Pin PowerFLAT EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6375 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 240A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
145+1.18 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
127+1.32 EUR
145+1.12 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 4225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N4F8STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160N6LF7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.59 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.13 EUR
6000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL160NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N10F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+5.09 EUR
100+4.76 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.41 EUR
3000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N10F8AGSTMicroelectronicsDescription: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N4F8AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL165N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 154 A, 2600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
79+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40V, 2.6MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL165N4F8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 3051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N1VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.75 EUR
6000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704 pF @ 100 V
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.65 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.83 EUR
10+4.45 EUR
100+3.11 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.86 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
3000+1.73 EUR
6000+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL16N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 2A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL170N4LF8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL175N4LF8AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 167A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL175N4LF8AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N3LLH6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N65M5STMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+4.13 EUR
100+2.89 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.26 EUR
3000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 1.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL17N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL180N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N55M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N55M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 278 mOhm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 57W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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STL18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
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STL18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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STL18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 764 pF @ 100 V
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STL18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
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STL18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
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STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
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STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
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STL18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
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10+4.78 EUR
100+3.36 EUR
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STL18N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 6.5A; Idm: 60A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 57W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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STL18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 8-Pin Power Flat T/R
auf Bestellung 2761 Stücke:
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41+4.33 EUR
50+3.37 EUR
100+2.69 EUR
250+2.62 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.27 EUR
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