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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UPA2380T1P-E4-ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH DUAL LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2380T1P-SSA-ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH DUAL LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2381AT1P-E1-ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH DUAL LGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2381AT1P-E1-A#YJ1Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2385T1P-E1-ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450-TL-E1
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450BTL(2)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450BTL(3)-E1-ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450BTL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.6A 6HWSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-HWSON
auf Bestellung 547490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450BTL-E1-ANEC
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450BTL-E1Pb-free
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450CTL(1)-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 318000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450CTL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.6A 6HWSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-HWSON
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450TLNEC
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450TL-E1NEC09+
auf Bestellung 131968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450TL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450TL-E1-ANEC0521+?
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2450TL/4521NEC09+
auf Bestellung 2138 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451BTL-E1
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451BTL-E1-A
auf Bestellung 23920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451BTL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 6HWSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-HWSON
auf Bestellung 65300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
336+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451CTL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 6HWSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-HWSON
auf Bestellung 392400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
336+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451CTL-E1-A
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451TL-E-A
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451TL-E1NEC06Pb
auf Bestellung 50370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451TL-E1-ANECTSSOP-6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451TL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
270+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2451TL-SSA-A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2452TL-E1NEC
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2452TL-E1-ANEC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2454TL-E1-ARenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 152980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
257+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2460T1Q-E1-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8HUSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2461T1Q-E1-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8HUSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2462T1Q-E1-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 24V 6A 8HUSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2463T1Q-E1-AXRENESASQFN
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2463T1Q-E1-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 20V 6A 8HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HUSON (2.7x2)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
503+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 503 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2464T1Q-E1-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8HUSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2465T1Q-E1-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8HUSON
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2502TM-E2NEC06NOPB
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2510TM-E1-A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2520T1H-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2520T1H-T1-ATRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V VSOF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2520T1H-T2-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-VSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
387+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2521T1H-T1
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2521T1H-T1-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-VSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2521T1H-T2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-VSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2550T1H-T1-ATRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5A 8VSOF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2550T1H-T2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5A 8VSOF
Supplier Device Package: 8-VSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
346+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2560T1H-T1-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8VSOF
Supplier Device Package: 8-VSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
579+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2560T1H-T2-ATRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8VSOF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2561T1H-T1-ATRenesas Electronics America IncDescription: POWER, 4.5A, 20V, N-CH MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2562T1H-T1-ATRenesas Electronics America IncDescription: POWER, 4.5A, 30V, N-CH MOSFET
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2590T1H-T1-ATRenesasVSOF 8/Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin VSOF T/R UPA2590
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2590T1H-T1-ATRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8VSOF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2590T1H-T2-ATRenesas Electronics America IncDescription: POWER, 4.5A, 30V, N-CH MOSFET
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 8-VSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.24W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
541+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2590T1H-T2-ATRenesasTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin VSOF T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
462+1.43 EUR
513+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
10000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 462 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2590T1H-T2-ATRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2591T1H-T1-ATRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
704+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2593T1H-T1-ATRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 19183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
677+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2600T1R-E2-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2600T1R-E2-AXRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2630T1R-E2-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 1.8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2630T1R-E2-AXRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UPA2631T1R-E2-AXRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 6HUSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 1.8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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UPA2660T1R-E2-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
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UPA2670T1R-E2-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
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UPA2672T1R-E2-AXRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON
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UPA2680T1E-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 6-MLP (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
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UPA2690T1R-E2-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
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