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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR522UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 20V 0.2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR522UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.2A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 4717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.51 EUR
10+0.35 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.092 EUR
24000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SC75A; SOT416
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.76 EUR
538+0.43 EUR
855+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
1341+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 76440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1520+0.11 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
10000+0.099 EUR
25000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.76 EUR
538+0.43 EUR
855+0.25 EUR
1162+0.18 EUR
1341+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
976+0.18 EUR
1118+0.15 EUR
1260+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 976 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT723 50V
auf Bestellung 15425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.094 EUR
8000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SOT723
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR523MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1232+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
2137+0.1 EUR
5000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 58398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
484+0.36 EUR
502+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
25000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 484 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 20017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
101+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LROHMDescription: ROHM - 2SCR523MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.54 EUR
776+0.3 EUR
1232+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
2137+0.1 EUR
5000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1713+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523MT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.098 EUR
16000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
1161+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 90365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4116+0.042 EUR
4808+0.036 EUR
6000+0.032 EUR
12000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3F
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans NPN GP 50V 0.1A
auf Bestellung 9939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.061 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
1161+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 350MHz
Case: SOT323F
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...560
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR523UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1123+0.15 EUR
1161+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
25000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523V1T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VML
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR523V1T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT RECOMMENDED ALT 755-2SCR523MT2L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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2SCR533DTLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SCR533DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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2SCR533P T100ROHMSOT89
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SCR533P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
232+1 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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2SCR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
319+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
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2SCR533P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
Produkt ist nicht verfügbar
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2SCR533P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.79 EUR
250+0.75 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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2SCR533P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
auf Bestellung 7022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SCR533P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.75 EUR
232+1 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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2SCR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
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2SCR533P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.79 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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2SCR533PFRAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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2SCR533PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SCR533PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 3A 180 to 450hFE 50V
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.42 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SCR533PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
26+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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2SCR533PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.49 EUR
354+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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2SCR533PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 50V
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
151+1.54 EUR
216+1 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.86 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
151+1.54 EUR
216+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.86 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
447+0.38 EUR
530+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.62 EUR
291+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A Transistor
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.07 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.11 EUR
100+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR533PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.62 EUR
291+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.64 EUR
110+1.55 EUR
250+1.45 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.25 EUR
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.81 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542F3TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
15000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542F3TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
250+1.12 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans Darlington NPN 2A 3-Pin ATV T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542PFRAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Transistor Type: NPN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.64 EUR
302+0.56 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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2SCR542PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
134+1.74 EUR
191+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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2SCR542PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 5A 200 to 500hFE 30V
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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2SCR542PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
134+1.74 EUR
191+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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2SCR542PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 500mW; SC62,SOT89
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...500
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Frequency: 250MHz
Collector current: 5A
Mounting: SMD
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
114+0.75 EUR
183+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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2SCR542PFRAT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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2SCR542PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SCR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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2SCR542PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SCR542PT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 500mW; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2SCR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
226+0.75 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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2SCR542PT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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2SCR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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2SCR542PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.09 EUR
224+0.74 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR542PT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543DTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543DTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 50V 4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543DTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR543RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR543RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
186+1.25 EUR
288+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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