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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFI730GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI730GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.7 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 32
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: Unknown
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
50+1.96 EUR
100+1.95 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+2.76 EUR
100+2.49 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI734GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI734GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740BTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GSiliconixN-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740G
Produktcode: 77936
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/66
Montage: THT
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.52 EUR
10+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI740GLCPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.16 EUR
10+6.66 EUR
100+4.96 EUR
500+4.16 EUR
1000+3.83 EUR
2000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+2.89 EUR
100+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 11370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 11380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.37 EUR
54+3.11 EUR
100+2.73 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
114+1.51 EUR
117+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
114+1.48 EUR
117+1.39 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
110+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI740GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.83 EUR
10+23.42 EUR
12+17.91 EUR
50+16.06 EUR
100+14.83 EUR
250+13.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.28 EUR
81+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFIRFI740GPBF Микросхемы Общие, Прочие
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.13 EUR
32+2.69 EUR
38+2.3 EUR
60+1.43 EUR
100+1.33 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInternational RectifierDescription: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.73 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7446GPBF - IRFI7446GP 12V-300V N-CHANNEL POWER MOS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
338+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.26 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7446GPBF
Produktcode: 172384
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GN-CH 450 V 4.9 A 0.63 A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI744GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.58 EUR
50+3.51 EUR
100+2.78 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.21 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7536GPBF - IRFI7536 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI7536GPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFI820GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFI820GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
100+2.34 EUR
102+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
auf Bestellung 3426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.18 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830BTUFairchild SemiconductorIRFI830BTU
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
918+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 918 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GSiliconixN-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830G
Produktcode: 77935
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 3,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 610/38
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
10+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GN-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFI830GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
67+3.47 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.87 EUR
108+1.56 EUR
119+1.37 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+2.93 EUR
100+2.24 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.92 EUR
2000+1.83 EUR
5000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
63+2.76 EUR
100+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
46+1.87 EUR
52+1.67 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.61 EUR
119+1.44 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840IOR96 TO220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840Vishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI840BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 13732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840BTUON SemiconductorIRFI840BTU
auf Bestellung 13732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
10000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840G
Produktcode: 216946
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220FULLPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GSiliconixN-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840G Pbf(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCSiliconixN-MOSFET 500V 4.5A 40W IRFI840GLC Vishay TIRFI840glc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.42 EUR
39+2.19 EUR
50+2.02 EUR
100+1.94 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFI840GLCPBFMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Транзистори
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IRFI840GLCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GLCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.67 EUR
100+2.88 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI840GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 908 Stücke:
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1+7.47 EUR
10+4.19 EUR
100+3.45 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.7 EUR
5000+2.64 EUR
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IRFI840GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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