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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N6374MOTOROLA
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2N6374Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6374 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40W
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2N6374 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40W
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2N6375MOTOROLA
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2N6376MOTOROLA
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2N6377Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2N6377Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6377MOTOROLA
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2N6378Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6378Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N6378MOTOROLA
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2N6378Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 100V 50A TO3
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Supplier Device Package: TO-3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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2N6378Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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2N6379MOTOROLA
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2N6379Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 120V 50A TO204AA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
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2N6379Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N637AMOTOROLA
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2N638MOTOROLA
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2N6380Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6380MOT/ON
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2N6380Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 50A TO63
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2N6381MOT/ON
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2N6381Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 100V 50A TO63
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2N6381Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6382Microsemi CorporationDescription: TRANS PNP 120V 50A TO-63
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 250 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6382Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6383MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N6383Microchip TechnologyDarlington Transistors Power BJT
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+143.55 EUR
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2N6384MOT01+ TO-3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6384Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO204AA
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6384Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6384 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-3
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
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2N6384 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
10+12.61 EUR
20+12 EUR
100+10.42 EUR
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2N6384 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 10A 100W
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2N6385STMicroelectronicsSTMicroelectronics
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2N6385
auf Bestellung 6600 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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2N6385Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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2N6385Microchip TechnologyDarlington Transistors Power BJT
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2N6385NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.58 EUR
10+7.2 EUR
20+6.83 EUR
50+6.45 EUR
100+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6385PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6385PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6386CentralsemiNPN, Uкэ=40V, Iк=8A, 65Вт, 20МГц, TO-200 Транзистори
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2N6386 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+4.41 EUR
25+4.16 EUR
100+3.53 EUR
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2N6387Harris CorporationDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220AB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
247+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
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2N6387ON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.42 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
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2N6387onsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
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2N6387ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6387 - 2N6387, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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2N6387MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6387STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N6387onsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
247+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
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2N6387onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar
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2N6387 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 65W 60Vcbo 60Vceo 5.0A 20MHz
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2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.5 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.01 EUR
2800+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.34 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.59 EUR
162+1.05 EUR
172+0.95 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
50+1.83 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.09 EUR
172+1.01 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6387GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388onsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6388 - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
122+1.9 EUR
156+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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2N6388onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 65 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 65 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 20MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388 PBFREECentral SemiconductorPower Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Biploar Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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2N6388CST07+
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116 Stücke:
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96+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
154+1.51 EUR
166+1.3 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 116 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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2N6388GON-SemiconductorTranzystor Darlington NPN 80V 10A (2N6388 STM *obsolete) 2N6388G ONS T2N6388
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.48 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 80V Bipolar Power NPN
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6388G Transistor
Produktcode: 197559
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2N6389MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N638AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N639MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394onsemiDescription: SCR 50V 12A TO220AB
Voltage - Off State: 50 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Off State (Max): 10 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394onsemiSCRs 50V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394onsemiDescription: SCR 50V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6394GLittelfuseSCRs 50V 12A
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+3.8 EUR
100+2.67 EUR
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2N6394GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6394G - 2N6394G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394GLittelfuseSCR Diode 50V 12A(RMS) 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394GonsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 12
Voltage - Off State: 50 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Off State (Max): 10 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394GON07+;
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394GLittelfuse Inc.Description: SCR 50V 12A TO220AB
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 50 V
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.44 EUR
100+1.73 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394TGonsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 12
Voltage - Off State: 50 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Off State (Max): 10 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394TGLittelfuseSCRs THY 12A 50V SCR
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.67 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6394TGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6394TG - 2N6394TG, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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