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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.74 EUR
249+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A-NBNP006 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006Fairchild SemiconductorDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
auf Bestellung 5311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1089+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1089 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NBNP006onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A-NL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AFDS6690AS
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 7232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 59264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AS
Produktcode: 169096
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FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
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FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
737+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 737 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AS-NBNU001onsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AS-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AS_NBNU001onsemi / FairchildMOSFET 30V,NCH,SO8,POWER TRENCH SYNCFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690AS_TNBNU001onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A_NBBM015AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A_NBNP006onsemi / FairchildArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 27661 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690NLFAIRCHILD
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
auf Bestellung 124950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
100000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 372836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
auf Bestellung 87831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
auf Bestellung 164686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
100000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
auf Bestellung 12350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6690S_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692onsemiMOSFETs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 563 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
582+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6692NLFAIRCHILD
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 15 V
auf Bestellung 28954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694
Produktcode: 52710
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Transistoren > MOSFET N-CH
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694FAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
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FDS6694-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694AFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6694NLFAIRCHILD
auf Bestellung 44500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694SFSC09+
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694S-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6694_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 44500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6699FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,6mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6699S TFDS6699s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699SonsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6699S-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6812FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6812AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6812AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6814FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS682A-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
11+2.06 EUR
100+1.61 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.82 EUR
100+1.54 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
120+1.45 EUR
136+1.25 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.67 EUR
119+1.43 EUR
120+1.37 EUR
136+1.15 EUR
250+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875-NLFDS
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875A
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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