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FDS6694S-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6694_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 44500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6699FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6699SFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,6mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6699S TFDS6699s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
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FDS6699SonsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
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FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6699SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDS6699SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6699SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6699S-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6812FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6812AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6812AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6814FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS682A-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
118+1.99 EUR
138+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.5 EUR
120+1.46 EUR
136+1.26 EUR
250+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.68 EUR
119+1.45 EUR
120+1.38 EUR
136+1.17 EUR
250+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
118+1.99 EUR
138+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.82 EUR
100+1.54 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.12 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
11+2.06 EUR
100+1.61 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875-NLFDS
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875A
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875A_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875NLFAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6875_NL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6876FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890FDS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.92 EUR
118+1.46 EUR
119+1.4 EUR
135+1.18 EUR
250+1.11 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AonsemiMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
50+1.77 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.69 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
87+2.67 EUR
130+1.65 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SO8
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890AONS/FAISO8, Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890A/FSCFSC08+;
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6890ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
460+1.45 EUR
511+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6892AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 66856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
539+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6892AON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8
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FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1016 Stücke:
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460+1.45 EUR
511+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 460 Stücke
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FDS6892AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6892AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892A - TRANSISTOR, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4723 Stücke:
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2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6892A-NL
auf Bestellung 60000 Stücke:
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FDS6892AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6892AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10479 Stücke:
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377+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
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FDS6892AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 10479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDS6892A_NF40FAIRCHILD09+
auf Bestellung 957 Stücke:
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FDS6894NS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 100 Stücke:
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FDS6894AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6894AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6894A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6894AS
auf Bestellung 175200 Stücke:
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FDS6894AZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6894AZFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
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FDS6898FDSSOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
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FDS6898AFairchild/ON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1821 @ 10, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 9,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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FDS6898Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
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2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6898AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4828 Stücke:
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2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6898A
Produktcode: 46542
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FDS6898AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6898AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6898AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6898A FairchildFairchild2N-MOSFET 20V 9.4A 14mΩ 900mW FDS6898A TFDS6898a
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6898A-NF40FAIRSOP8
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6898A-NLFAI
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6898A.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
85+2.76 EUR
87+2.49 EUR
89+2.42 EUR
129+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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FDS6898A/FSCFSC08+;
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6898A2FAIRCHIL09+ SOP8
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6898ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6898AZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; Idm: 38A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.36 EUR
547+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
10000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.36 EUR
547+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.36 EUR
547+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZonsemi / FairchildMOSFETs SO-8
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.36 EUR
547+1.2 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6898AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
104+2.24 EUR
154+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH