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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
132+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16DN8TA - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
95+2.46 EUR
132+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.43 EUR
100+1.74 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 30V 5.5A ZXMP3A16DN8 DIODES TZXMP3a16dn8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl UMOS
auf Bestellung 3193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.75 EUR
100+1.11 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1565000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.98 EUR
2000+0.89 EUR
3000+0.86 EUR
5000+0.81 EUR
7000+0.79 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
109+2.14 EUR
131+1.64 EUR
200+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.71 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
250+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
109+2.14 EUR
131+1.64 EUR
200+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16GTCDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
148+1.57 EUR
222+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1022 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TA
auf Bestellung 10075 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A16N8TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
148+1.57 EUR
222+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; Idm: -26A; 1.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 1.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A16N8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DZETEX2004
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -16.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -16.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8TA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.28nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.33 EUR
15000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2383 Stücke:
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237+0.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
109+2.14 EUR
163+1.32 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
15000+0.54 EUR
21000+0.52 EUR
30000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 14789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.74 EUR
250+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes Inc./ZetexSOT-23-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -14.4A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
auf Bestellung 50513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
14+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3A17E6TAPBF
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Channel MOSFET 20V VGS -15.3A IDM
auf Bestellung 3359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+0.83 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
261+0.89 EUR
402+0.54 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F30FHTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP3F30FHTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
261+0.89 EUR
402+0.54 EUR
572+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F35N8
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F35N8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F35N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.1 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F36N8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F36N8
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F36N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.9 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37DN8
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37DN8TA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37DN8TC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37N8
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1678 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37N8TA
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP3F37N8TC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16ZETEXSOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 49000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.82 EUR
2000+0.76 EUR
3000+0.73 EUR
5000+0.68 EUR
7000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.62 EUR
100+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 49222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
12+1.75 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
123+1.89 EUR
152+1.4 EUR
200+1.07 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedMOSFETs 40V P-Chnl UMOS
auf Bestellung 33957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.61 EUR
100+1.07 EUR
250+1.06 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.4 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
123+1.89 EUR
152+1.4 EUR
200+1.07 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 20 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADIODES/ZETEXP-MOSFET 40V 6.4A ZXMP4A16GTA DIODES TZXMP4a16g
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16GTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KDiodes Inc./ZetexСилові MOSFET-модулі
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMP4A16KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP4A16K - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
156+1.5 EUR
173+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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