Produkte > JAN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| JANS2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUB | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUB/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2907AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-CLCC Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2919U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920 | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N2920L | Microchip Technology | Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U | Microchip Technology | Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2920U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2946A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N2946A | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV Supplier Device Package: TO-46 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3019 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N3019 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3019/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3019S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3019S | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3057A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3057A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO46 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3057A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3421 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3421 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Voltage Regulator | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3421S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3421S | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439L | Microchip Technology | Description: POWER BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3439UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440 | MIT | 04+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440L | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5 Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | JANS2N3440UA/TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3440UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO-5AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Lond-Lead Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499L/TR | Microsemi Corporation | Description: SMALL-SIGNAL BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3499UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3500L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JANS2N3501/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3501UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3506A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3506AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3634 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3634L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3634UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3636 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| JANS2N3636L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |