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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
JANS2N2907AUA/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUBMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUB/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2907AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N2907AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2907AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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JANS2N2919MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N2919/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N2919LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N2919L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N2919UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N2919U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N2920Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+359.88 EUR
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JANS2N2920LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920LMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N2920L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N2920UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N2920UMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920UMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920U/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920U/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2920U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N2946AMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
Supplier Device Package: TO-46
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 400 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N2946AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N3019MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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JANS2N3019Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+188.37 EUR
100+174.92 EUR
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JANS2N3019Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+184.52 EUR
100+171.35 EUR
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JANS2N3019/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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JANS2N3019SMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3019SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N3019SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3057AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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JANS2N3057AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3057A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3421Microchip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3421Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Voltage Regulator
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3421SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3421SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439LMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3439UA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440MIT04+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440LMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440U4Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JANS2N3440UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
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JANS2N3440UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
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JANS2N3440UA/TRMicrochip TechnologyJANS2N3440UA/TR
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JANS2N3440UA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
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JANS2N3499Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO39
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JANS2N3499Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
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JANS2N3499LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.5A TO-5AA
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JANS2N3499LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Lond-Lead Small-Signal BJT
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JANS2N3499L/TRMicrosemi CorporationDescription: SMALL-SIGNAL BJT
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JANS2N3499L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
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JANS2N3499UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT
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JANS2N3499UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN 3 Pin Cre Small-Signal BJT TR
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JANS2N3500Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3500Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
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JANS2N3500LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT
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JANS2N3500LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3501Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3501Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
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JANS2N3501/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
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JANS2N3501LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3501U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A U4
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: U4
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3501UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT
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JANS2N3501UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3501UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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JANS2N3501UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
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JANS2N3501UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 150V 0.3A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/366
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JANS2N3506AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Power BJT THT
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JANS2N3506ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT
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JANS2N3634MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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JANS2N3634LMicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
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JANS2N3634UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JANS2N3634UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-3
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JANS2N3635Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JANS2N3635LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JANS2N3635LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JANS2N3635UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JANS2N3635UBMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JANS2N3635UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: MIL-PRF-19500/357
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JANS2N3635UB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 140 V Small-Signal BJT
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JANS2N3636Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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JANS2N3636LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
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