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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5333Semelab (TT electronics)Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N5333 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39
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2N5333 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100Vcbo PNP Trans 80Vceo 6.0Vebo 2.0A
auf Bestellung 13 Stücke:
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1+35.27 EUR
10+29.02 EUR
100+28.71 EUR
500+24.38 EUR
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2N5333 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 100Vcbo 80Vceo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5334Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5334Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 6 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5334MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N5335Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5335Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
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2N5335MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5336Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N5336Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2N5336MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5336Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 6000mW 3-Pin TO-39 Bag
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2N5336 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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2N5336 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 5.0A 6W
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2N5337Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
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2N5337Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 23 Stücke:
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1+26.29 EUR
100+24.42 EUR
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2N5337MOTOROLA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5337Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 6000mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5337 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 5.0A 6W
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5338Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 5A 6000mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5338Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5338Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 6 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5338 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 5A 6000mW 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5338 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+15.77 EUR
100+13.15 EUR
500+11.52 EUR
1000+10.64 EUR
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2N5338 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 6.0Vebo 5.0A 6W
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N5339Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+81.6 EUR
5+77.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N5339STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N5339MOTOROLA
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.89 EUR
100+63.96 EUR
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2N5339 BK PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN High Current
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2N5339AMOTOROLA
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5339LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339LMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5339PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339QFNMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339QFNMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5339QFN/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 100V 5A 1W Power BJT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339QFN/TRMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339T3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339T3Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N5339U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-276AA Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5339U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 100UA U-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-3 (TO-276AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-276AA
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N533AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N534MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5344MOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5344Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5345Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5346Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5346Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5347Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5347Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5348MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5348Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTORS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5349General SemiconductorDescription: LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5349Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N534AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N535MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5356 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 350mA 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5356 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 350mA 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5356 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 350mA 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5356 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 25Vcbo 25Vceo 4.0Vebo 350mA 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5358MOTCAN
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5359MOTCAN
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N535AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N535BCAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N536MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5360MOTCAN
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5361MOTCAN
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5362MOTCAN
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5362Harris CorporationDescription: N - CHANNEL JFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5363MOTCAN
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5364MOTCAN
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5365 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5365 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (<
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 14836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6662 Stücke
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2N5366onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366MOT
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,300mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 LEAD FREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Switch Amp
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.82 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 338 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5366 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 0.3A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N5366 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 300mA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N5366 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5366 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40V,300mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5366_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5366_D27ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5366_D75ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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2N5366_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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2N5367Sprague
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5367 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5367 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.54 EUR
100+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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