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Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR5410TRR

MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms

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AUIRFR5505

Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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AUIRFR5505

Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRFR5505-IR

Description: PFET, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1O
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

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AUIRFR5505TRL

Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR5505TRL

Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRFR5505TRL

Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRFR6215

MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms

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AUIRFR6215

Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRFR6215

Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2700+	3.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2700 Stücke

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AUIRFR6215

Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.21 EUR
675+	2.9 EUR
1350+	2.64 EUR
2025+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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AUIRFR6215

Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 783 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	7.15 EUR
39+	5.96 EUR
100+	4.5 EUR
500+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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AUIRFR6215TR

MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms

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AUIRFR6215TRL

MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms

auf Bestellung 5463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.7 EUR
10+	4.8 EUR
25+	4.16 EUR
100+	3.88 EUR
250+	3.67 EUR
500+	3.44 EUR
1000+	2.95 EUR

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AUIRFR6215TRL

Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR6215TRL

AUIRFR6215TRL Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Si - Arrow.com

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR8401

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR8401

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401 International Rectifier

MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AUIRFR8401TRL AUIRFR8401TR AUIRFR8401 TAUIRFR8401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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AUIRFR8401 International Rectifier

MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AUIRFR8401TRL AUIRFR8401TR AUIRFR8401 TAUIRFR8401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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AUIRFR8401TR

MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1864 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	3.31 EUR
64+	2.74 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8401TRL

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A

auf Bestellung 2032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.78 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.03 EUR
3000+	1.89 EUR
6000+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403

International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

298+	2.25 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 298 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403

International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

238+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 2656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

298+	2.25 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 298 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TR

MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2451 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.94 EUR
500+	2.61 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.94 EUR
500+	2.61 EUR
1000+	2.36 EUR
10000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

International Rectifier HiRel Products

Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.05 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.94 EUR
500+	2.61 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	4.34 EUR
58+	3.03 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.56 EUR
2000+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A

auf Bestellung 177 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.22 EUR
10+	4.05 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.4 EUR
3000+	2.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	1 EUR
250+	0.94 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 179 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR8403TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2451 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.74 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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AUIRFR8403TRL

Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm

auf Bestellung 6983 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.7 EUR
57+	4.08 EUR
100+	3.05 EUR
500+	2.38 EUR
1000+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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AUIRFR8403TRLARMA1

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR8403TRLARMA1

Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q100

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR8405

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 13799 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

175+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 175 Stücke

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AUIRFR8405

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR8405 - AUIRFR8405 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2883 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

249+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 249 Stücke

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AUIRFR8405

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRFR8405TR

MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRFR8405TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1334 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.86 EUR
68+	2.44 EUR
100+	2.28 EUR
250+	2.15 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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AUIRFR8405TRL

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRFR8405TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	3.09 EUR
100+	2.96 EUR
2000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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AUIRFR8405TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRFR8405TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR8405TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1334 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.86 EUR
68+	2.52 EUR
100+	2.42 EUR
250+	2.33 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

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AUIRFR8405TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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AUIRFR8405TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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AUIRFR9024N

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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AUIRFR9024N

MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 175mOhms

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024N

Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024NTRL

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7.35 EUR
50+	3.53 EUR
55+	3.15 EUR
100+	2.5 EUR
200+	2.3 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	1.96 EUR
2000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024NTRL

Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024NTRL

Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024NTRL

Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFR9024NTRL

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004

MOSFETs 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004

Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-3 (TO-263)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7P

Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	15.71 EUR
100+	14.71 EUR
500+	13.61 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7P

Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7P

Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	15.71 EUR
100+	14.71 EUR
500+	13.61 EUR
1000+	12.58 EUR
10000+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7P

MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7P-IR

Description: PFET, 240A I(D), 40V, 0.00125OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7TRL

Description: INFINEON - AUIRFS3004-7TRL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 40 V, 400 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 400
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7TRL

MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.25mOhm 240A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7TRL

Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004-7TRR

MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.90mOhm 240A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004TRL

Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004TRL

MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.63 EUR
10+	11.33 EUR
100+	9.29 EUR
500+	7.91 EUR
800+	6.66 EUR
2400+	6.33 EUR
4800+	6.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3004TRR

MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3006

Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3006

MOSFET 60V 270A 2.5 mOhm Automotive MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3006-7P

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 293А; 375Вт; D2PAK-7 Силові MOSFET-модулі

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

AUIRFS3006-7P

Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V

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AUIRFS3006-7P

Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

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MOSFET 60V 293A 2.1 mOhm Automotive MOSFET

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AUIRFS3006-7P-IR

Description: PFET, 240A I(D), 60V, 0.0021OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V

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MOSFETs 60V 293A 2.1 mOhm Automotive MOSFET

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AUIRFS3006-7TRL

Description: MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V

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N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)) Силові MOSFET-модулі

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Produktcode: 182315

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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AUIRFS3006-7TRR

MOSFET 60V 293A 2.1 mOhm Automotive MOSFET

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AUIRFS30067P

Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V

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AUIRFS3006TRL

MOSFET 60V 270A 2.5 mOhm Automotive MOSFET

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AUIRFS3006TRL

Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

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AUIRFS3107

Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

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AUIRFS3107

MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET

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AUIRFS3107-7P