Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SE8228XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 21W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 463500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 766738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 16490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R650CE | Infineon | auf Bestellung 270500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R650CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 162 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R650CEE8210XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 7A TO220FP-3 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.65Ω Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 28W Drain-source voltage: 600V | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R750E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 11500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 5.7A TO220FP-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R750E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R750E6XKSA1 - LOW POWERLEGACY tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 79500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 331650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R750E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R800CE | Infineon technologies | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA60R800CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 5.6A TO220FP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R950C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 4.4A TO220FP-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 223660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 4.4A TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 4.4A TO220FP-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA60R950C6XKSA1 TIPA60r950c6 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 26 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA60R950C6XKSA1 Produktcode: 181563
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.065 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R095C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R095C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 115A TO220FP-3 | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO220FP CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R110CFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 34.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.7W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
