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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STS8205
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8208
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8550
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8816
auf Bestellung 2794 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LVBsemiTransistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LSTMicroelectronicsMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LSTMN-ch.+P-ch 30V - 2 W - 8A SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C5H30L N/P-MOSFET
Produktcode: 168551
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8C6H3LLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics N-channel 30 V, 0.019 Ohm typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET(TM) Power MOSFET in a SO-8 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
79+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
116+1.86 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
auf Bestellung 6627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
10000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 4113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.05 EUR
110+1.55 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.43 EUR
95+2.46 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
118+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STS8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
142+1.51 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DN6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMMOSFET 2N-ch. Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
100+1.44 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTSO-8
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Case: SO8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 8 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNF3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNFS30LST09+ SO-8
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNH3LLST
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsMOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNH3LLSTMMOSFET 2N-ch. Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8DNH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ 8 A STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.5 EUR
100+1.06 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.7 EUR
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STS8N6LF6AG
Produktcode: 180614
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
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2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
50+1.13 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8N6LF6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO N T/R
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304+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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STS8NF30LST09+ SO-8
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8NFS30LST09+ SO-8
auf Bestellung 7136 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS8PF30L
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9012G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9013G
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9014
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9015
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9015-C
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9015B
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9015C
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9018
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS90NF30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9311A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9313A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9313B
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9411A
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
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STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A/9A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
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STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET Dual N Ch 30V 0.012Ohm 9A
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8A/9A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
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STS9D8NH3LL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STS9D8NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF30LST09+
auf Bestellung 35018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF3LLST09+ SO-8
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 9 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF3LLSTM(SO-8) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NF3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NH3LLSTM
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9NH3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SO N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS9P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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