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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
12+1.81 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR014TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 21872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
3000+0.95 EUR
6000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
12+1.84 EUR
100+1.43 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.11 EUR
4000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
119+1.95 EUR
180+1.19 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.08 EUR
4000+1.07 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
124+1.87 EUR
172+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 N-CH 60V 7.7A
auf Bestellung 8333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.73 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.23 EUR
4000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBF
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR014TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR020PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020IRTO-252
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TR
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 3768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.23 EUR
100+1.77 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 3706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR020TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.42 EUR
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IRFR020TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR020TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
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IRFR024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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IRFR024IRTO-252
auf Bestellung 60000 Stücke:
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IRFR024 NTKIR0310
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR024NHXY MOSFETTO-252 (DPAK) Транзистори
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IRFR024NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N JSMICRO TIRFR024 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR024N
Produktcode: 34110
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.51 EUR
38+4.43 EUR
100+2.57 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N HXY MOSFET TIRFR024 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR024N-TR
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInternational RectifierTO-252 (DPAK) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.64 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRInfineonN-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
192+1.21 EUR
256+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
192+1.21 EUR
256+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
763+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 763 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 172000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.32 EUR
4000+0.31 EUR
8000+0.29 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.49 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 71373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
235+0.99 EUR
265+0.81 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 17 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.31 EUR
8000+0.3 EUR
12000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC
auf Bestellung 17169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+0.88 EUR
100+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 28432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.31 EUR
4000+0.3 EUR
8000+0.29 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 65 St.
  • 65 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+0.94 EUR
10+0.84 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 71373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
235+0.99 EUR
265+0.81 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 172000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.32 EUR
4000+0.31 EUR
8000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 90332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
50+0.88 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR024NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
150+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
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IRFR024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 N-CH 60V 14A
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+1.67 EUR
100+1.36 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.02 EUR
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.08 EUR
183+0.94 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.75 EUR
239+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
161+1.05 EUR
183+0.88 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
121+1.42 EUR
145+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRFR024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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