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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1670+0.1 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146RohmЦифровой транзистор 2.2/2.2 кОм, SC-59, SOT-346 Транзистори
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146
Produktcode: 217155
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 35340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
780+0.23 EUR
1274+0.13 EUR
1749+0.096 EUR
2009+0.082 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.045 EUR
15000+0.044 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 780 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
82+0.25 EUR
134+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EKAT146RohmТранзистор цифровий, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 20 @ 20 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 2,2, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1685 Stücke:
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DTC123EM FS6T2LROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 6024 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT723
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 8...15
Quantity in set/package: 8000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 958 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 8100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.077 EUR
8000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9678+0.068 EUR
10831+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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DTC123EM3T5GON Semiconductor
auf Bestellung 6060 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 16000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 6985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2794+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 2794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 158573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9678+0.068 EUR
10831+0.06 EUR
100000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1710 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 6014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1710 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
8000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDTC123EMHZGT2L
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMHZGT2LRohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 100MA
auf Bestellung 14647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
5000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LROHM05+ SOT523
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5129+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 5129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1345+0.45 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 31990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1670+0.1 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.095 EUR
10000+0.09 EUR
25000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 1670 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123ESATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUR0HM09+
auf Bestellung 62318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU T106ROHMSOT23
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
1493+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
613+0.29 EUR
960+0.18 EUR
1278+0.13 EUR
1480+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 613 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.071 EUR
2519+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
935+0.26 EUR
1493+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 935 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 6312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
954+0.18 EUR
1513+0.11 EUR
2093+0.08 EUR
2416+0.068 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 954 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2208+0.079 EUR
2500+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2305+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 2305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 7576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.061 EUR
2942+0.058 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC123EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1330+0.19 EUR
2000+0.12 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
auf Bestellung 10192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
532+0.15 EUR
794+0.11 EUR
940+0.09 EUR
1337+0.063 EUR
1525+0.056 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.043 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 5861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAYangjie Electronic TechnologyDTC123EUA
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAROHMSOT-323
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUA-T106
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EUAT106SOT323-22ROHM
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123EU\22ROHMSOT-323
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAYangjie TechnologyDescription: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
30000+0.037 EUR
60000+0.035 EUR
120000+0.03 EUR
300000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23-
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAYangjie Electronic TechnologyDigital Transistors (Built-in Resistors)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6494+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCA-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors SOT-23 BIPOLAR BJT NPN
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 4231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1021+0.17 EUR
1352+0.12 EUR
1541+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
125+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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DTC123JCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
699+0.25 EUR
1147+0.15 EUR
1539+0.11 EUR
1806+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 699 Stücke
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