Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T | auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N10S3L26ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N10S3L26ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N12S3L24ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD35N12S3L24ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N12S3L24ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N12S3L24ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD35N12S3L24ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N12S3L24ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 23471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD35N12S3L24ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 7232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD35N12S3L24ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD35N12S3L24ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2691 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD380P06NMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | auf Bestellung 31337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD380P06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V | auf Bestellung 13625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD380P06NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD380P06NMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD380P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD380P06NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 35A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD380P06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD390P06NMSAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD400N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD400N06NG | infineon | 07+ to-252/d-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD400N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD400N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 28µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD400N06NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD40DP06NMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD40DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD40DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 166µA Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD40DP06NMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD40DP06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.328 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.328ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.328ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD40DP06NMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD40N03S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS-T2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD42DP15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD42DP15LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD42DP15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3345ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD42DP15LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V | auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD42DP15LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD42DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD49CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD49CN10NG | infineon | 07+ to-252/d-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 12V 4.25A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 51W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 12V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 4.25A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 51 W | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5012-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 12V 4.25A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 51W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 12V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 4.25A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 51 W | auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5012-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5012-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 12V 4.16A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5015-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 15V 50W Power (Watts): 50 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C14 Current - Output (Max): 3.3A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 15V Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Packaging: Box | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5015-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 15V 3.33A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5015-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 15V 3.33A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5015-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 15V 3.3A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5015-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 15V 3.3A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5018-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 18V 2.8A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5018-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 18V 2.78A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5018-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 18V 50W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 18V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.8A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Power (Watts): 50 W | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5018-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 18V 2.78A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5018-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 18V 2.8A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 49W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 19V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.6A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 49 W | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5019-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 19V 2.6A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 19V 2.63A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5019-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 49W Power (Watts): 49 W Part Status: Active No Load Power Consumption: 100mW (Max) Region Utilized: North America Input Connector: IEC 320-C14 Current - Output (Max): 2.6A Efficiency: Level VI Form: Desktop (Class I) Approval Agency: CE, cTUVus Input Type: Cord (Sold Separately) Applications: ITE (Commercial) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Cord Length: 48" (1.22m) Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Polarization: Positive Center Voltage - Output: 19V Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Packaging: Box | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5019-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 19V 2.6A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 50W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 24V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.5mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.1A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 50 W | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD5024-760 | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 24V 2.1A Class I / Level VI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760 | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Desktop AC Adapters 50W 24V 2.1A 2.1x5.5 connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Plug-In Adapter Single-OUT 24V 2.08A 50W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD5024-760S | Inventus Power | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 50W Packaging: Box Size / Dimension: 4.50" L x 2.26" W x 1.44" H (114.2mm x 57.5mm x 36.5mm) Voltage - Output: 24V Polarization: Positive Center Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 9.5mm Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC Cord Length: 48" (1.22m) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, cTUVus Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 2.1A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: North America No Load Power Consumption: 100mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 50 W | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 7429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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