Produkte > MT5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 96 Gbit, 1.5G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 96Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1.5G x 64 Bit | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 96G 1.5GX64 FBGA 8DP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 96G 1.5GX64 FBGA 8DP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 96 Gbit, 1.5G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 96Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1.5G x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1536M64D8HJ-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 64 556/841 TFBGA 8 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64DEEG-046 WT:A | Micron | Micron LPDDR4 96G 1.5GX64 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1536M64DEEG-046 WT:A TR | Micron | Micron LPDDR4 96G 1.5GX64 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1D1BPC-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 PLASTIC MISC Z42M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1D1BPC-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 PLASTIC MISC Z42M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1DAFW-DC | Micron | DRAM LPDDR4 2G ?? ? | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1DAFW-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 2G ?? ? | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1DBDS-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? WFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1DBDS-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? WFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 AAT:A | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | auf Bestellung 1196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G16D1FW-046 AAT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 AIT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 AIT:A | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT ES:A | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT ES:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT:A | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | auf Bestellung 1293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G16D1FW-046 WT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT:A | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G16D1FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 1GX16 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 16 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Part Status: Active Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 16Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1Z42NWC1 | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 16G DIE 1GX16 DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Packaging: Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C TR | Micron Technology | MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 IT | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C TR | Micron Technology | MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AUT:C | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AUT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AUT:C | Micron Technology | Automotive SDRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 AUT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 WT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 WT:C TR | Micron Technology | MT53E1G16D1ZW-046 WT:C TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 WT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G16D1ZW-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A | Micron Technology | 32Gb DRAM Chip Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP Z32M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A TR | Micron Technology | LPDDR DRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Micron Technology | LPDDR DRAM Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT | auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR | Micron Technology | MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP Z32M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR | Micron Technology | LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT | auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:B - DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR | Micron Technology | MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |