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2N3690Central SemiconductorCentral Semiconductor
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2N3700Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N3700MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3700 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 500 mW, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-18
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 74 Stücke:
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40+6.27 EUR
56+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2N3700IgnionBipolar Transistors - BJT
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2N3700Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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22+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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2N3700Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18
auf Bestellung 492 Stücke:
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3+8.76 EUR
100+8.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N3700MicrosemiTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
auf Bestellung 43 Stücke:
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18+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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2N3700Semelab / TT Electronics
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2N3700Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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14+13.2 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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22+8.46 EUR
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2N3700
Produktcode: 173155
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-18
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 140 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 А
Bemerkung: THT
Montage: THT
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2N3700Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 302 Stücke:
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1+8.59 EUR
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2N3700MICROSEMITO-18/1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3700
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3700Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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 Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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2N3700CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.5/1.8W; TO18
Power dissipation: 0.5/1.8W
Mounting: THT
Case: TO18
Kind of package: bulk
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Frequency: 100...400MHz
Collector current: 1A
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2N3700STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
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2N3700 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
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1+5.93 EUR
10+3.88 EUR
100+2.95 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.12 EUR
2000+1.95 EUR
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2N3700 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3700 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3700 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 140Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 500mA 1.8W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3700 TIN/LEADCentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18
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2N3700 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 80V 1A 500MW TH TRANSISTOR-SMALL
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3700/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
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2N3700AMOTOROLA
auf Bestellung 29000 Stücke:
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2N3700AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT
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2N3700AUBMicrochip TechnologyLow Power NPn Silicon Transistor
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700AUB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700CSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin CLLCC-1
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700CSMWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR SS
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700DCSMWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3700DCSMSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 1A 525mW 6-Pin CLLCC-2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3700DCSM-QR-BSemelab (TT electronics)HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3700DCSM-QR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N3700JANMOT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3700PMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.99 EUR
25+20.38 EUR
50+19.84 EUR
100+18.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N3700UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700UBMICROSEMIUB/NPN TRANSISTOR 2N3700
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N3700UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N3700UBMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.24 EUR
100+16.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N3700UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N3700UBMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N3700UB/TRMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 1A 500mW 4-Pin Case UB T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700UB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N3700UB/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End Small-Signal BJT TR
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2N3701Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 140Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 1.8A 500mW
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2N3701ST
auf Bestellung 18690 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3701Solid State Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N3701 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 140Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 1.8A 500mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N3701AMOTOROLA
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N3702onsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2N3702onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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2N3702
Produktcode: 155365
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2N3702Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12669 Stücke:
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3122+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3122 Stücke
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2N3702NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - 2N3702 - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO-92-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 35
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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