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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BCP5616TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
426+0.55 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 4000pcs.
auf Bestellung 4003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
290+0.3 EUR
385+0.23 EUR
455+0.19 EUR
585+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
4000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
426+0.55 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TCDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTADiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTCDiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.23 EUR
100+0.77 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.32 EUR
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TQTCDiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5616TTCDiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.39 EUR
1191+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.39 EUR
1191+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperiaТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56FNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H,115Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.2 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.63 EUR
248+0.94 EUR
393+0.55 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H-QXNexperia USA Inc.Description: BCP56H-Q/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.63 EUR
248+0.94 EUR
393+0.55 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H-QXNexperia USA Inc.Description: BCP56H-Q/SOT223/SC-73
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 725 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56H115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56HX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
291+0.8 EUR
461+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56HXNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56H/SOT223/SC-73
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BCP56HXNexperiaТранзистори
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BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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1000+0.18 EUR
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56HXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2.2W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.2W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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155+1.14 EUR
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308+0.54 EUR
405+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.19 EUR
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1459+0.38 EUR
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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391+0.45 EUR
395+0.44 EUR
417+0.4 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
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BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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500+0.38 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
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BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 52329 Stücke:
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10000+0.26 EUR
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BCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP56MTWGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BCP56MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2
auf Bestellung 101 Stücke:
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2+1.69 EUR
10+1.23 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BCP56TNexperiaArray
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BCP56T,115Nexperia USA Inc.Description: 1A, 80V, NPN, SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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BCP56T-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
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BCP56T-QFNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BCP56T-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BCP56T-QFNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BCP56T-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56T-Q/SOT223/SC-73
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCP56T-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BCP56T-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56T-Q/SOT223/SC-73
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BCP56T-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BCP56T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BCP56T1ONSOT-223
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BCP56T1
Produktcode: 35895
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PhilipsTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 130 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 А
Montage: SMD
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1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
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BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 59000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
8000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BCP56T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
auf Bestellung 3333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
114+0.75 EUR
126+0.68 EUR
194+0.44 EUR
243+0.35 EUR
315+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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BCP56T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BCP56T1GON-SemiconductorNPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 17900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BCP56T1GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 1A SOT223-4 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
281+0.83 EUR
379+0.57 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.71 EUR
382+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
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BCP56T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
auf Bestellung 25796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
281+0.83 EUR
379+0.57 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+0.71 EUR
382+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 17928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 280 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.52 EUR
447+0.39 EUR
451+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+0.93 EUR
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500+0.43 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1620 Stücke:
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255+0.69 EUR
419+0.4 EUR
538+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1774 Stücke:
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168+1.49 EUR
284+0.82 EUR
382+0.56 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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223+0.79 EUR
313+0.55 EUR
335+0.49 EUR
447+0.36 EUR
451+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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BCP56T3GOn SemiconductorTRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223 Транзистори
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