Produkte > DMT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060 Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004LPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Mounting: SMD Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: TO263AB On-state resistance: 3mΩ Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 4.7W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 251200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SCTBQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB Mounting: SMD Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: TO263AB On-state resistance: 3mΩ Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 4.7W Gate charge: 68.6nC Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252 | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 472500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 182500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | auf Bestellung 7463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 3492500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson | auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 442494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2952500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 440000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4004SPSWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 7250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | auf Bestellung 1768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 232500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | auf Bestellung 2321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 230000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 23330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V | auf Bestellung 7485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A | auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 1285000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A | auf Bestellung 4976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4005SPSWQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC On-state resistance: 7.3mΩ Power dissipation: 59W Drain current: 44A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 13 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A | auf Bestellung 6923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | auf Bestellung 69970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 67500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A | auf Bestellung 1505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 67500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| DMTH4007LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29.1nC On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 83.3W Drain current: 85A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 340A Kind of package: 13 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
