Produkte > FDC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| FDC642P-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.2 Bauform - Transistor: SuperSOT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0525 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 17041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-F085P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085P - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 19232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-F085P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-F085P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-ChannelPowerMosfet | auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC642P-F085PBK | onsemi | Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P-F085PBK | onsemi | MOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM | auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC642P-F085PBK | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-F085PBK | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC642P-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC642P/642 | FAIR | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC642P\642 | FAIRCHIL | SOT-163 | auf Bestellung 25900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC642P_SB4N006 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SSOT6 Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6432SH | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6432SH | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6432SH | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6432SH | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | auf Bestellung 45128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC6432SH | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6432SH | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| FDC6432SH-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 154287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 29088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 N-CH | auf Bestellung 3551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 19844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 17376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC645N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC645N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC645N_F095 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6506P | onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6506P | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6506P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6506P-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC6506P/506 | FAIR | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC6506P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ONS/FAI | N-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V | auf Bestellung 53830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC653N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 6035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | onsemi | MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V | auf Bestellung 53016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC653N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm | auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC653N-F073 | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 9018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC653N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC654P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V | auf Bestellung 7110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC654P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC654P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 7068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ONS/FAI | SSOT-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 900177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 92994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 132149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 12002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 914474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC654P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC654P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC654P SOT163-654 PB-FR | FAIRCHILD | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC654P-NL | FAIRCHILD | SOT163-654 PB-FR | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC654P-NLSOT163-654PB-FREE | FAIRCHLD | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC654P_NL | FAIRCHIL | auf Bestellung 53000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 140456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC655AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC655AN | FAIRCHILD | SOT163 | auf Bestellung 69170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 25459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC655AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V | auf Bestellung 299497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC655AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin SuperSOT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC655AN | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-6 N-CH 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
