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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
261+0.65 EUR
308+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+0.29 EUR
625+0.27 EUR
646+0.26 EUR
684+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1574+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-PSBMS001onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001onsemiDescription: LV FET / WBG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
100000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ-SBMS001ON SemiconductorP-Channel 2.5V Power Trench Specified MOSFET
auf Bestellung 365423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2280+0.29 EUR
10000+0.25 EUR
100000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
auf Bestellung 22464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1576+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1576 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638APZ_PSBMS001ON SemiconductorFDC638APZ-PSBMS001
auf Bestellung 62400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1576+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1576 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PONS/FAIМОП-транзистор SSOT-6 P-CH -20V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.49 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
163+1.43 EUR
282+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 4,5 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 10, Qg, нКл = 14 @ 4,5 В, Rds = 48 мОм @ 4,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 @ 250 мкА, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 33 нс,..
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.51 EUR
393+0.43 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.58 EUR
334+0.5 EUR
393+0.4 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
163+1.43 EUR
282+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 28586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+0.94 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.38 EUR
450+0.37 EUR
452+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC638P-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 56481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SFAIRCHILDSOT163
auf Bestellung 189790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 39483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392SON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1190+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6392S-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640FAIRCHILD
auf Bestellung 6504 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NonsemiMOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
auf Bestellung 24876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.99 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.63 EUR
331+0.51 EUR
333+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 106mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.96W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.34 EUR
76+1.13 EUR
86+0.99 EUR
125+0.69 EUR
146+0.58 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 70178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.77 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
169+1.38 EUR
239+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401Nonsemi / FairchildMOSFETs Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench
auf Bestellung 15951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1249+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
229+0.75 EUR
270+0.62 EUR
272+0.58 EUR
331+0.46 EUR
333+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
169+1.38 EUR
239+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6401PFAIRCHLD
auf Bestellung 6680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.33 EUR
162+1.44 EUR
227+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.63 EUR
298+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.81 EUR
246+0.68 EUR
274+0.58 EUR
298+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 14890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.37 EUR
474+0.35 EUR
481+0.33 EUR
483+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.33 EUR
162+1.44 EUR
227+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 10249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P-NBAD004AonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2.
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P_F095onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P_NLFSC07+;
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C
Produktcode: 44090
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.77 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
257+0.65 EUR
292+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420ConsemiMOSFETs 20V/-20V N/P
auf Bestellung 310392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.88 EUR
100+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.64 EUR
166+1 EUR
182+0.88 EUR
257+0.6 EUR
292+0.5 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.58 EUR
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6420C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2305 Stücke:
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101+2.48 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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FDC6420CONS/FAISSOT-6 Транзистори
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6420CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3/-2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 2933 Stücke:
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65+1.31 EUR
97+0.88 EUR
118+0.73 EUR
137+0.62 EUR
159+0.54 EUR
500+0.42 EUR
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FDC6420Consemi / FairchildMOSFETs 20V/-20V N/P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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