Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC | auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Power dissipation: 91W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 91 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 42 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 91 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 11893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg | auf Bestellung 7445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V | auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR48ZTRR | IR | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR5035 | IR | auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR5305 | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 43252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305/PBF | auf Bestellung 5080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRFR5305CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF Produktcode: 2560
3
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD | auf Bestellung: 542 St.
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| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 200 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | IRFR5305PBF Транзисторы | auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR5305PBF | International Rectifier | P-ch. DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305T | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 20413 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TR Produktcode: 185048
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Id, A: 25 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 500 St.
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| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TR IRFR5305TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRL | auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRFR5305TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 368 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 15968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 15 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC | auf Bestellung 24392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | auf Bestellung 45545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRPBF Produktcode: 4177
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC | auf Bestellung 26525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 37527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon | P-ch. DPAK TO-252 Транзистори | auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5305TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR5305TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR530S | IR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR540Z | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540Z | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; IRFR540Z TIRFR540z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR540ZPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ptot, Вт = 91, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 16 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZPBF Produktcode: 54258
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| IC > IC Transistoren-Treiber | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC | auf Bestellung 10940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF Produktcode: 170490
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 91, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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