Produkte > DDT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| DDTC144WCA-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Current gain: 56 Quantity in set/package: 3000pcs. | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WCA-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WCA-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 200MW 47K 22K | auf Bestellung 2548 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WCA-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WE-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WE-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WE-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WE-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WE-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WE-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 150MW 47K 22K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WE-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTC144WE-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | auf Bestellung 75670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WE-7-F | DIODES | SOT423 | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WKA-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WUA-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WUA-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WUA-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTC144WUA-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WUA-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTC144WUA-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 249000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTC144WUA-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 17950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113EC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 365957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113EC-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD113EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85411000 Dauer-Kollektorstrom Ic: 500mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113EC-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113EC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 363000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113EC-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 200MW 1K1K | auf Bestellung 3132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113EU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1K1K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113EU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1KW 10KW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 471000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DDTDxC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | Diodes INC. | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, ft, МГц = 200, hFE = 56, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 50 мА, 2,5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 88 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 200MW 1K 10K | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD113ZC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DDTDxC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F Produktcode: 215803
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 98561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZC-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 82164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZU-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 200MW 1K 10K | auf Bestellung 1785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD113ZU-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD113ZU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD113ZU-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Manufacturer standard package: 3000pcs. Current gain: 56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD113ZU-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD113ZU-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD114EC | Diodes Incorporated | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114EC-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD114EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD114EC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 36609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD114EC-7-F | Diodes Incorporated | Digital Transistors 200MW 10K | auf Bestellung 5250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD114EC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114EC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DDTD114EC-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DDTD114EC-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD114EC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DDTD114EU-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10KW 10KW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114EU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114EU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114GC-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114GC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114GU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114GU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114TC-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114TC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114TU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD114TU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122JC-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K 4.7K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122JC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122JU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K 4.7K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122JU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | DIODES | SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 500mW | auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 200mW | auf Bestellung 2064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122LU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 10094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | auf Bestellung 2232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | auf Bestellung 85588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TC-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K | auf Bestellung 36416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TU-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TU-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 22577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD122TU-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD123EC | Diodes Incorporated | Digital Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD123EC-7-F | Diodes Zetex | Trans Digital BJT NPN 40V 0.5A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| DDTD123EC-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 255604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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