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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.38 EUR
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FDC6420CFairchild/ON SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3, Ptot, Вт = 0,7, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 324 @ 10, Qg, нКл = 4,6 @ 4,5 В, Rds = 70 мОм @ 3 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 5 нс, td(off)+tf = 13 нс,... Тра
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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6000+0.42 EUR
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6420ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 32285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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221+0.81 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
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182+0.98 EUR
257+0.68 EUR
292+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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FDC6420C SSOT-6ON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C TFDC6420c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2975 Stücke:
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20+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDC6420C-NLFAIRCHILD
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FDC6420C/420FAIR
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FDC6420C/ROHSFAIRCHILD09+
auf Bestellung 13426 Stücke:
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 11410 Stücke:
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1714+0.39 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1714 Stücke
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FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 2361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
50+0.73 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1693 Stücke:
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536+0.33 EUR
554+0.32 EUR
573+0.3 EUR
593+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 536 Stücke
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
283+0.82 EUR
321+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
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113+1.58 EUR
181+0.95 EUR
247+0.67 EUR
280+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1137+0.38 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1714+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1714 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 16990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 3902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
283+0.82 EUR
321+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1170+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.56 EUR
489+0.36 EUR
536+0.31 EUR
554+0.29 EUR
573+0.26 EUR
593+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 16578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.61 EUR
10+0.74 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085onsemi / FairchildMOSFETs P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.2
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0525
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085P - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PonsemiMOSFETs P-ChannelPowerMosfet
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 17041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1421+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
390+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
50+0.83 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
390+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKonsemiMOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P/642FAIR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P\642FAIRCHILSOT-163
auf Bestellung 25900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P_SB4N006onsemiDescription: MOSFET N-CH SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHFAIRCHILDFDC6432SH
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 45128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHFAIRCHILDFDC6432SH
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1.04 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
822+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 822 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SH-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
183+1.27 EUR
266+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH
auf Bestellung 8952 Stücke:
Lieferzeit 360-364 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.44 EUR
100+1.01 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
163+1.43 EUR
237+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 154287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1145+0.58 EUR
10000+0.51 EUR
100000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 29088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.29 EUR
635+0.27 EUR
650+0.25 EUR
657+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 17376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.49 EUR
200+1.06 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.54 EUR
12000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506PONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P/506FAIR
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 46792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
669+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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78+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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