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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC655ANFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
auf Bestellung 299497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655AN_NLONS/FAIДЛЯ НОВЫХ РАЗРАБ. ИСП. FDC655BN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.52 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
514+0.33 EUR
526+0.32 EUR
603+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 50090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
250+0.93 EUR
388+0.55 EUR
508+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN
Produktcode: 169802
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
123+0.69 EUR
178+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,3 А, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 570 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 6,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
377+0.46 EUR
435+0.38 EUR
445+0.37 EUR
514+0.3 EUR
526+0.29 EUR
603+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
907+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 50090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
250+0.93 EUR
388+0.55 EUR
508+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiMOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
auf Bestellung 3979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
auf Bestellung 9064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
807+0.21 EUR
907+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BNONS/FAIMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-F40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1849+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1849 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-F40onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN-NL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN_GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23
auf Bestellung 19178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1530+0.43 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655BN_NBNN007onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1781+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC655NON SemiconductorFDC655N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561/5G1GFAI
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 6074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
202+1.15 EUR
336+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
24000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN
Produktcode: 174745
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 100653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
202+1.15 EUR
336+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
24000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN-NB5S007AonsemiDescription: FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
auf Bestellung 22283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
455+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN/561FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN\651FAIRCHILSOT-163
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN_NLFAIRCHIL
auf Bestellung 53000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6561AN_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 36965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.75 EUR
216+1.07 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
auf Bestellung 28374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APFairchildP-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP
Produktcode: 123114
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.36 EUR
10+0.3 EUR
100+0.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemi / FairchildMOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
auf Bestellung 28254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.96 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 36965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.75 EUR
216+1.07 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
94+0.9 EUR
109+0.79 EUR
154+0.56 EUR
177+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP-GFairchild SemiconductorDescription: FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+1.11 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1206+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.26 EUR
178+0.95 EUR
179+0.9 EUR
187+0.83 EUR
245+0.61 EUR
250+0.57 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
181+0.93 EUR
186+0.87 EUR
249+0.62 EUR
258+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 12815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
186+0.93 EUR
249+0.68 EUR
258+0.64 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P-NNFAZ0530NO
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P_NB4E011ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P_NLONS/FAIP-Channel MOSFET (SuperSOT-6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6901LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6901L-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697PFairchild SemiconductorDescription: 8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
auf Bestellung 69811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697Ponsemi / FairchildMOSFET PCh 1.8V PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697PFAIRCHILD0746+ VSOP-6/1210-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P/.697FAIR
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
auf Bestellung 4762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
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FDC699PON SemiconductorFDC699P
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+1.4 EUR
515+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
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FDC699Ponsemi / FairchildMOSFET P-Channel 2.5V
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FDC699PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC699P - MOSFET, P, SMD, FLMP, SSOT-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 4762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
110+2.11 EUR
133+1.61 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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FDC699PON SemiconductorFDC699P
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+1.4 EUR
515+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
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FDC699P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
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FDC7250066C-81001BCorning FDC Stbd Hdwr Rack Mount FDC-C
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FDC72C65LJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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FDC72C65PSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+14.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDC765SMCPLCC44
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC765ASMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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