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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.77 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
257+0.65 EUR
292+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C/420FAIR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6420C/ROHSFAIRCHILD09+
auf Bestellung 13426 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 11410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1714+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1714 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.33 EUR
540+0.31 EUR
576+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1170+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
208+1.12 EUR
321+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 20787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.79 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 15835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1371+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1714+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1714 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 8400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1170+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.52 EUR
181+0.92 EUR
247+0.64 EUR
280+0.55 EUR
500+0.4 EUR
1137+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
208+1.12 EUR
321+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
27+0.8 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.2
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0525
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085onsemi / FairchildMOSFETs P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 17041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1855+0.35 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1855+0.35 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085Ponsemi / FairchildMOSFETs P-ChannelPowerMosfet
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.82 EUR
10+1.12 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1855+0.35 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085P - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1855+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1855 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKonsemiMOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
390+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
314+0.74 EUR
390+0.55 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P/642FAIR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P\642FAIRCHILSOT-163
auf Bestellung 25900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC642P_SB4N006onsemiDescription: MOSFET N-CH SSOT6
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
822+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 822 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
auf Bestellung 45128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SHON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V/12V 2.4A/2.5A 6-Pin SuperSOT T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6432SH-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.15 EUR
163+1.43 EUR
237+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.83 EUR
257+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 17376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.44 EUR
200+1.02 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.51 EUR
12000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
183+1.27 EUR
266+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH
auf Bestellung 3551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+1.14 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.84 EUR
255+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 154287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1145+0.56 EUR
10000+0.5 EUR
100000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 29088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.27 EUR
635+0.26 EUR
650+0.25 EUR
657+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC645N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506PONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P/506FAIR
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6506P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.75 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONS/FAIN-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 53830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.61 EUR
100+0.57 EUR
500+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
141+1.65 EUR
222+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 54173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
26+0.82 EUR
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
930+0.69 EUR
1009+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 930 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
141+1.65 EUR
222+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
930+0.69 EUR
1009+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 930 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC653NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
81+1.06 EUR
91+0.94 EUR
106+0.81 EUR
119+0.71 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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FDC653N-F073FAIRCHILD09+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDC653N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
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FDC654PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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441+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
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