Produkte > STF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 6102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V | auf Bestellung 1647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 9450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 6100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STM | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3PF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 3805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STFW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm | auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 Produktcode: 127853
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 9450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 9Ohm; 2,5A; 63W; -50°C ~ 150°C; STFW3N150 TSTFW3N150 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STFW3N150 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N150?? | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STFW3N170 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STFW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW3N170 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW3N170 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW40N60M2 Produktcode: 182296
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| STFW40N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-PF Tube | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW40N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package | auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW40N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW40N60M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A Power dissipation: 63W Case: TO3PF On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW40N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW40N60M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STFW40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW42N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW42N60M2-EP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| STFW45N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH | auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 63W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 63W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STFW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 5 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW4N150 | STMicroelectronics | N-канальний ПТ, Udss, В = 1 500, Id = 4 A, Ptot, Вт = 63, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 30, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 30 Stücke | verfügbar 2 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STFW60N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 100 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW69N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW69N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STFW69N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW6N120K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW6N120K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW8N120K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STFW8N120K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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