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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR9120TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9120TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
110+2.13 EUR
135+1.59 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120TRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120_R4941ON Semiconductor / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210IRTO-252
auf Bestellung 10669 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210N
Produktcode: 12811
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Anmerkung: Transistor
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 3098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
75+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 8,9 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1048 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.43 EUR
411+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
125+1.86 EUR
157+1.37 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.01 EUR
100+0.92 EUR
500+0.9 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
412+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
auf Bestellung 8940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.16 EUR
10+2.76 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRLPBFVishay / SiliconixMOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+0.42 EUR
424+0.4 EUR
426+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.36 EUR
100+1.24 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.13 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.63 EUR
408+0.42 EUR
420+0.38 EUR
424+0.37 EUR
426+0.33 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9210TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9214PBF
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.67 EUR
120+1.4 EUR
138+1.17 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
103+2.27 EUR
121+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
auf Bestellung 3093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
75+1.87 EUR
150+1.69 EUR
525+1.34 EUR
1050+1.23 EUR
2025+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.45 EUR
139+1.24 EUR
250+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBF
Produktcode: 56884
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VishayTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Id, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 220/14
Montage: SMD
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1+0.86 EUR
10+0.79 EUR
100+0.69 EUR
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IRFR9214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 250V 2.7 Amp
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
25+1.88 EUR
100+1.63 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR9214PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
106+1.59 EUR
122+1.33 EUR
250+1.23 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRFR9214TRIRTO-252
auf Bestellung 10670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR9214TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+1.99 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR9214TRLPBFIR07+ DIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.56 EUR
113+1.49 EUR
114+1.42 EUR
119+1.31 EUR
250+1.09 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
114+1.51 EUR
119+1.42 EUR
250+1.21 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.52 EUR
105+2.21 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
92+1.88 EUR
100+1.76 EUR
200+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
105+2.21 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
10+2.19 EUR
100+1.69 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRRIRTO-252
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9214TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220onsemiMOSFETs TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220SiliconixTransistor P-MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,6A; 42W; -55°C~150°C; Substitute: IRFR9220TRL; IRFR9220; IRFR9220TR; IRFR9220TRR; IRFR9220 TIRFR9220
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
119+1.45 EUR
150+1.29 EUR
525+0.54 EUR
1050+0.52 EUR
2025+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp, TO-252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.96 EUR
33+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
96+1.75 EUR
150+1.49 EUR
525+0.51 EUR
1050+0.49 EUR
2025+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
75+2.77 EUR
150+2.51 EUR
525+2.14 EUR
1050+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+2.75 EUR
100+2.48 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.4 EUR
6000+1.36 EUR
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IRFR9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 8866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
94+2.49 EUR
127+1.69 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.01 EUR
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9220PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
auf Bestellung 7833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.98 EUR
3000+1.95 EUR
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IRFR9220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9220TRIR4
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR9220TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
71+2.43 EUR
100+1.71 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
552+0.31 EUR
570+0.3 EUR
580+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 552 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
71+2.37 EUR
100+1.64 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 3.6 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF
Produktcode: 166997
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9220TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 1.5 Ом @ 2.2 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
82+2.06 EUR
83+1.96 EUR
125+1.24 EUR
250+1.18 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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