Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFS3006-7PPBF | International Rectifier | D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS30067PPBF | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 200nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 22400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 38400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg | auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | IRFS3006TRL7PP | auf Bestellung 32800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 253600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V | auf Bestellung 4395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 33600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 488000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V | auf Bestellung 4503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS3107 Produktcode: 99507
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 190 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,1 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9200/160 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 160nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107-7PPBF Produktcode: 35899
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7) Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3107-7PPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107-7PPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 260 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 370 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 370 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 230 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 230 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 370 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 370 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRFS3107, IRFS3107TRL; IRFS3107 TIRFS3107 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3107TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC | auf Bestellung 3759 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V | auf Bestellung 5160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V | auf Bestellung 8842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg | auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS31N20D | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20D Produktcode: 126396
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS31N20DHR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DHR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS31N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2370 @ 25, Qg, нКл = 107 @ 10 В, Rds = 82 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DPBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DPBF | JSMicro | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP | International Rectifier | N-MOSFET 31A 200V 3,1W IRFS31N20D TIRFS31N20D Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS31N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |