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Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.92 EUR
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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.39 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.67 EUR
2400+	2.56 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	3.06 EUR
1600+	2.8 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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38+	4.59 EUR
52+	3.32 EUR
100+	3.15 EUR

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IRFS38N20DTRLP

MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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10+	5.02 EUR
100+	3.58 EUR
500+	3.28 EUR
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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.5 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.28 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.34 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	1.98 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.89 EUR
4800+	2.61 EUR
9600+	2.37 EUR
14400+	2.19 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.45 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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3+	8.21 EUR
10+	5.4 EUR
100+	3.81 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	2.46 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	3.05 EUR
1600+	2.86 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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34+	5.15 EUR
50+	3.77 EUR
100+	3.59 EUR
500+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

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IRFS38N20DTRLP

Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm

auf Bestellung 809 Stücke:

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100+	3.8 EUR
500+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	1.32 EUR

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IRFS38N20DTRLP

Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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800+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS38N20DTRRP

auf Bestellung 800 Stücke:

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IRFS38N20DTRRP

Infineon / IR

MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC

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IRFS38N20DTRRP

Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)

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IRFS38N20DTRRPBF

auf Bestellung 5000 Stücke:

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IRFS4010
Produktcode: 99512

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9830/150
Montage: SMD

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1+	6 EUR

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IRFS4010

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IRFS4010-7P

MOSFETs

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IRFS4010-7P
Produktcode: 99513

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9830/150
Montage: SMD

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1+	6 EUR

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IRFS4010-7PPBF

MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFS4010-7PPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube

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IRFS4010-7PPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори

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IRFS4010PBF

D2PAK Транзистори

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IRFS4010PBF

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC

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IRFS4010PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube

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IRFS4010TRL

JGSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 150A; 312W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFS4010; IRFS4010TRL; IRFS4010TRR; SP001578304; SP001550124; SP001576222; IRFS4010TRL JGSEMI TIRFS4010 JGS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IRFS4010TRL

import

N-MOSFET 180A 100V 375W Substitute: IRFS4010TRL; IRFS4010-GURT; IRFS4010; IRFS4010TRR; IRFS4010 TIRFS4010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IRFS4010TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.8 EUR
50+	5.49 EUR
100+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

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IRFS4010TRL7PP

Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRFS4010TRL7PP
Produktcode: 142952

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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IRFS4010TRL7PP

MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4010TRL7PP

Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFS4010TRL7PP

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFS4010TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори

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IRFS4010TRL7PP

Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V

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IRFS4010TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V

auf Bestellung 5897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.08 EUR
10+	4.63 EUR
100+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 9600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.12 EUR
1600+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.42 EUR
1600+	2.13 EUR
2400+	2.01 EUR
4000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4010TRLPBF

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.02 EUR
250+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

246+	2.65 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.25 EUR
50+	4.03 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4010TRLPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.68 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

800+	2.51 EUR
1600+	2.34 EUR
2400+	2.26 EUR
4000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	5.43 EUR
43+	4.01 EUR
100+	2.34 EUR
800+	2.21 EUR
1600+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.09 EUR
1600+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm

auf Bestellung 1346 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.57 EUR
42+	5.62 EUR
50+	4.47 EUR
100+	4.02 EUR
250+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.4 EUR
1600+	2.18 EUR
2400+	2.09 EUR
4000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg

auf Bestellung 1596 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.08 EUR
10+	4.41 EUR
100+	3.25 EUR
500+	2.51 EUR
800+	2.49 EUR

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 46064 Stücke:

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246+	2.65 EUR
500+	2.46 EUR
1000+	2.28 EUR
10000+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 246 Stücke

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IRFS4010TRLPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 92800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	2.06 EUR
1600+	2.02 EUR
2400+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4010TRRPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFS4020PBF

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 450 Stücke

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IRFS4020PBF

Infineon / IR

MOSFET 200V 1 N-CH DIGITAL AUDIO HEXFET SWITCH

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IRFS4020TRLPBF

MOSFETs Aud MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC Qg

auf Bestellung 5876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	2.95 EUR
100+	2.08 EUR
800+	1.68 EUR
2400+	1.55 EUR

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IRFS4020TRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

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IRFS4020TRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

800+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4020TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4020TRLPBF

Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IRFS4020TRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.84 EUR
70+	2.46 EUR
100+	2.26 EUR
200+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IRFS4020TRLPBF

Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4020TRLPBF

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFS4020TRLPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 100W
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 200V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115
Produktcode: 99514

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 105 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5320/73
Montage: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

1+	4.31 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115-7P

N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115-7P
Produktcode: 99515

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 105 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5320/73
Montage: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

1+	5.38 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115-7PPBF

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115-7PPBF

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115PBF

MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115PBF

Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	7.93 EUR
50+	4.74 EUR
100+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1298 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.89 EUR
38+	4.57 EUR
100+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR
500+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V

auf Bestellung 2050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

147+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 147 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 41638 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.52 EUR
10000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 421 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP

Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	4.08 EUR
500+	3.82 EUR
1000+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFS4115TRL7PP