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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSD223PINFINEON05+
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch
auf Bestellung 11951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.57 EUR
100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223P L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223P Transistor
Produktcode: 58170
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
960+0.18 EUR
1123+0.15 EUR
1134+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
408+0.43 EUR
584+0.29 EUR
590+0.27 EUR
960+0.17 EUR
970+0.15 EUR
1123+0.13 EUR
1134+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.8 EUR
500+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1120+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
auf Bestellung 77482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 80314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1021+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
271+0.31 EUR
477+0.18 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
511+0.45 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+0.3 EUR
592+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.081 EUR
15000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch DPAK-2
auf Bestellung 34414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PL6327Infineon technologies
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235C H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
auf Bestellung 97729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.83 EUR
100+0.52 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235C H6327
Produktcode: 132412
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327Infineon technologies
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
auf Bestellung 138081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.83 EUR
100+0.52 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1
Produktcode: 118906
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1InfineonMosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
auf Bestellung 218793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1InfineonMOSFET N/P-CH 20V SOT363 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 43199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1InfineonMosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 35980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.46 EUR
381+0.45 EUR
520+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
18000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 380 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Vishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 47 @ 10, Qg, нКл = 0,34 @ 4,5 В, Rds = 350 мОм @ 950 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1,6 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id = 950 мА, 530 мА,... Транзистори Корпус: PG-SO
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
209+0.4 EUR
304+0.29 EUR
363+0.24 EUR
451+0.19 EUR
527+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CL6327Infineon technologies
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235N H6327Infineon
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
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BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
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BSD235NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 15059 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSD235NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 124622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1068+0.17 EUR
1104+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.43 EUR
459+0.19 EUR
532+0.15 EUR
618+0.14 EUR
658+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 97263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
620+0.29 EUR
1030+0.17 EUR
1183+0.14 EUR
1227+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesMOSFET SOT-363-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327Infineon technologies
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSAInfineonP-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
309+0.75 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
35+0.61 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
309+0.75 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.61 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
18000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEL6327Infineon technologies
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
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BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
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BSD316NL6327Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SN H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.77 EUR
100+0.49 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
57+0.37 EUR
108+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.55 EUR
770+0.3 EUR
1320+0.17 EUR
1429+0.15 EUR
1534+0.14 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
770+0.3 EUR
1320+0.17 EUR
1429+0.15 EUR
1534+0.14 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 25682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
73+0.29 EUR
102+0.2 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SN L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SNH6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 8723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SNL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD816SNL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
auf Bestellung 39321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.63 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
auf Bestellung 16610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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