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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSP110PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP110,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1109-05H1.7BeStar Technologies, Inc.Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD
Input Type: Peak-Peak Signal
Current - Supply: 1mA
Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency: 4.1kHz
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5 V
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven
Port Location: Top
Termination: Solder Tabs
Technology: Piezo
Voltage Range: 1 ~ 25V
Operating Mode: Single Tone
auf Bestellung 1814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.48 EUR
50+2.05 EUR
100+1.55 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1109-05H1.7 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP120PH09+
auf Bestellung 32430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP120BROADFIXDescription: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED
tariffCode: 83024200
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP121PH09+
auf Bestellung 18318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-01 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06BeStar Technologies, Inc.Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER
Frequency: 4 kHz
Part Status: Active
Termination: Solder Pads
Voltage - Input (Max): 3V p-p
Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Standard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Packaging: Box
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.36 EUR
50+1.96 EUR
100+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.54 EUR
2000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
4000+1.02 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBESTARCase: SMD; Frequency: 4000Hz; Sound pressure: 75dB; Dimensions: 12.2/12/3.1 mm; Voltage: 3 V BSP1212-03H03-06 LF FHD PBBSP1212-03H03-06 LF
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LFBestar TechnologyAudio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 7995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.54 EUR
2000+1.25 EUR
3000+1.11 EUR
4000+0.98 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-05H2.5 LFBestar TechnologyAudio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 13655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 785 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.61 EUR
174+0.96 EUR
268+0.61 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±2V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115InfineonMOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 785 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NexperiaMOSFETs BSP122/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122T/RPHILIPSO6 TO223
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123INFLNEON07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123E6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP124PHILIPS07+ SOT-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125INFINEONTO-223
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125
Produktcode: 25351
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6433Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327InfineonMOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.43 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327InfineonN-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327Infineon technologies
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.5 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
7000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
172+1.36 EUR
183+1.18 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 4077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
3000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
105+0.81 EUR
141+0.61 EUR
158+0.54 EUR
200+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1317+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
172+1.36 EUR
183+1.18 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
164+1.02 EUR
243+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.57 EUR
2000+0.5 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
7000+0.38 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
3000+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
164+1.05 EUR
243+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
178+1.31 EUR
256+0.83 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
8000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
187+0.9 EUR
246+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
auf Bestellung 6930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.24 EUR
178+1.31 EUR
256+0.83 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 10917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.31 EUR
100+0.93 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
187+0.92 EUR
246+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327Infineon technologies
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
100000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
472+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
667+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 211159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
903+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 903 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP125L6433HTMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP125L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP126PHILIPS07+ SOT-223
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BSP126NexperiaMOSFETs
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BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
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BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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100+2.42 EUR
119+1.81 EUR
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BSP126,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.375A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
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117+0.73 EUR
137+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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BSP126,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
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BSP126,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSP126,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
97+2.42 EUR
119+1.81 EUR
200+1.39 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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BSP126,115NexperiaMOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
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10+1.62 EUR
100+1 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP126,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP126,135NexperiaTrans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BSP126,135NexperiaMOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
Produkt ist nicht verfügbar
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