Produkte > BSP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSP110 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP1109-05H1.7 | BeStar Technologies, Inc. | Description: BUZZER PIEZO 5V 11X9MM SMD Input Type: Peak-Peak Signal Current - Supply: 1mA Sound Pressure Level (SPL): 70dB @ 5V, 10cm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency: 4.1kHz Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.433" L x 0.354" W (11.00mm x 9.00mm) Packaging: Box Voltage - Rated: 5 V Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm) Driver Circuitry: Transducer, Externally Driven Port Location: Top Termination: Solder Tabs Technology: Piezo Voltage Range: 1 ~ 25V Operating Mode: Single Tone | auf Bestellung 1814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP1109-05H1.7 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 4.5mA 5Vp-p 70dB 3600Hz to 4600Hz Surface Mount Solder Pad T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP120 | PH | 09+ | auf Bestellung 32430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP120 | BROADFIX | Description: BROADFIX - BSP120 - BROADFIX FLAT PACKERS 120 PER BAG MIXED tariffCode: 83024200 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP121 | PH | 09+ | auf Bestellung 18318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-01 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 | BeStar Technologies, Inc. | Description: 12X12 MM PIEZOELECTRIC BUZZER Frequency: 4 kHz Part Status: Active Termination: Solder Pads Voltage - Input (Max): 3V p-p Capacitance @ Frequency: 16000pF @ 120Hz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: Standard Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) Packaging: Box | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP1212-03H03-06 LF | BESTAR | Case: SMD; Frequency: 4000Hz; Sound pressure: 75dB; Dimensions: 12.2/12/3.1 mm; Voltage: 3 V BSP1212-03H03-06 LF FHD PBBSP1212-03H03-06 LF Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP1212-03H03-06 LF | Bestar Technology | Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad | auf Bestellung 7995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP1212-05H2.5 LF | Bestar Technology | Audio Sounder Piezo 1Vp-p 25Vp-p 3mA 5Vp-p 78dB Surface Mount Solder Pad T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 13655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Drain current: 0.55A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±2V Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Infineon | MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP122,115 | Nexperia | MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP122T/R | PHILIPS | O6 TO223 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP123 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP123 | INFLNEON | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP123 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 370mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP123E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 370mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP124 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 | INFINEON | TO-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 Produktcode: 25351
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 H6327 | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | auf Bestellung 5718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125 H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125-L6327 | Infineon | N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP125H6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 3438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | auf Bestellung 4077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 0.12A | auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 3438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 6930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 6930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | auf Bestellung 10917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125L6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP125L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 343141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 343141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125L6433 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | auf Bestellung 211159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 130700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125L6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6433HTMA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 22359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126 | PHILIPS | 07+ SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Drain current: 0.375A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SC73; SOT223 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,115 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126,135 | Nexperia | MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
