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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUZ15PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ15S2PHIL\MOT01+ TO-3
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BUZ16PHIL\MOT01+ TO-3
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BUZ17
auf Bestellung 22000 Stücke:
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BUZ171INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BUZ171CHP
auf Bestellung 22000 Stücke:
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BUZ172
Produktcode: 89248
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InfineonTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 5,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ173
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ173
Produktcode: 77766
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SiemensTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 750/
Montage: THT
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.93 EUR
10+1.63 EUR
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BUZ18
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ20
Produktcode: 107990
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUZ20
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ201PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ202PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ205
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ206
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 42976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
179+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21
Produktcode: 165241
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21HARRISBUZ21
auf Bestellung 42976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.8 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
10000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ210PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ211PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
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BUZ213
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ215Rochester Electronics, LLCDescription: SIEMENS BI-DIR FIFO 512X36 20NS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ215
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ216
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21CHIP
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21LINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ21P2Harris CorporationDescription: 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ22INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ22
Produktcode: 178108
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ220PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ221PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ22E3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 53682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
388+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ22E3045AROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ22E3045A - BUZ22 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 34
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 53682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ22E3045AInfineon TechnologiesBUZ22E3045A
auf Bestellung 53682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ23PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ230PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ231PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ24PHIL\MOT01+ TO-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ25PHIL\MOT01+ TO-3
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ27INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ272INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ28
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ282N/A09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ305
Produktcode: 40095
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUZ305
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ307SIEMENS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ308INFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ309
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AInfineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 21A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AINFINEON09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A
Produktcode: 42596
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A E3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A HInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A H3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+4.44 EUR
100+3.56 EUR
250+3.03 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.15 EUR
2000+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A H3045AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A L3045AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30A SMDInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFETs (20 V to 300 V) OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AHInfineon technologies
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH
Produktcode: 140368
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AHInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AInfineon TechnologiesDescription: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045A
Produktcode: 56077
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263-3
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
275+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+1.92 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+4.44 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ30AH3045AATMA1 - BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AH3045AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+1.92 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUZ30AHXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ30AHXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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BUZ30ASMD
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BUZ31INFTO-220
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BUZ31Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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BUZ31Infineon(MFET,N-CH,200V,13.5A,75W,TO-220) Транзистори
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BUZ31Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 200V 14.5A TO220-3
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BUZ31 E3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUZ31 E3045AINFTO-263
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BUZ31 E3045AInfineon TechnologiesMOSFETs N-KANAL POWER MOS
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BUZ31 E3046Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A I2PAK-3
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BUZ31 E3046Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUZ31 HInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A TO220FP-3
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BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 14.5A D2PAK-2
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BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUZ31 H3045AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
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13+1.75 EUR
100+1.55 EUR
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BUZ31 H3046Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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BUZ31 L3045AINFTO-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BUZ31 L3045AInfineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS PWR Transistr N-CH
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BUZ311Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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BUZ311 (Transistor)
Produktcode: 79399
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BUZ312
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