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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMHC4035LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC4035LSDQ-13-52Diodes Zetex40V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 11437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+1.96 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
109+2.14 EUR
158+1.36 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 3.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V, 618pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHC6070LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
109+2.14 EUR
158+1.36 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHC6070LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHE001Cinch Connectivity SolutionsDescription: DSUB 9 METAL DIE CAST B/S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHE003Cinch Connectivity SolutionsHood 180° E Shell Size Die Cast
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord V 1993->1997; Honda Civic IV 1987->1996; Honda Civic V 1987->1996; Honda CRX 1987->1992; Honda Prelude IV 1991->1996
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Thickness: 18mm
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda CRX front doors; Honda Prelude front doors
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+10.02 EUR
10+8.9 EUR
11+7.79 EUR
12+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND03BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Application - car brand: Honda
Application - car model: Honda Accord 2008->2011; Honda Accord 2008->2012; Honda Civic 2006->2012; Honda Civic 2011->2017; Honda Civic 2015->; Honda Civic Tourer 2013->2014; Honda Civic VII 2006->2011; Honda Crosstour 2010->2012; Honda CR-V 2013->; Honda CR-Z 2010->; Honda CR-Z 2011->2012; Honda Insight 2009->2012; Honda Insight 2010->2012; Honda Jazz 2009->2015
Car Audio features: impregnated
Application - loudspeaker localisation: Honda Accord front doors; Honda Civic front doors; Honda Crosstour front doors; Honda CR-V front doors; Honda CR-Z front doors; Honda Insight front doors; Honda Insight rear doors
Material: MDF
Thickness: 18mm
Loudspeaker size: 165mm
Quantity in set/package: 2pcs.
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.78 EUR
9+10.46 EUR
10+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHOND04BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Honda; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Type of car audio accessories: spacer ring
Thickness: 32mm
Internal diameter: 144mm
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Honda
Application - loudspeaker localisation: Honda Odysey front doors
Application - car model: Honda Odyssey 2003->2010
Car Audio features: impregnated
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHS-1Greenlee CommunicationsDescription: STRAP DMM HANGING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: DFN5045
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Verlustleistung: 900mW
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 900mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.34 EUR
53+4.39 EUR
100+3.64 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12(Type C) T&R 3K
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.03 EUR
100+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT10H032LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
82+2.83 EUR
128+1.68 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 8886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.8 EUR
100+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12 (Type C)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.44 EUR
25+2.06 EUR
50+1.83 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT3006LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT3006LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 30 V, 30 V, 13 A, 13 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
128+1.68 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.7W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: V-DFN5045-12
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
103+2.08 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 11100 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+3.36 EUR
100+2.37 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHT6016LFJ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN5045-12
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Produkt ist nicht verfügbar
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DMHT6016LFJ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMHT6016LFJ-13 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.15 EUR
74+3.15 EUR
103+2.08 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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DMHYUN01BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Hyundai; impregnated; 2pcs.
Application - car model: Hyundai Tucson 2004->
Application - loudspeaker localisation: Hyundai Tucson front doors; Hyundai Tucson rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Hyundai
Thickness: 8mm
Car Audio features: impregnated
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMHYUN02BASSERCategory: MDF Mounting Accessories
Description: Spacer ring; MDF; 165mm; Hyundai; impregnated; 2pcs.
Quantity in set/package: 2pcs.
Material: MDF
Loudspeaker size: 165mm
Application - car brand: Hyundai
Thickness: 38mm
Car Audio features: impregnated
Application - car model: Hyundai ix35 2009->; Hyundai Tucson 2015->
Application - loudspeaker localisation: Hyundai ix35 front doors; Hyundai ix35 rear doors; Hyundai Tucson front doors; Hyundai Tucson rear doors
Type of car audio accessories: spacer ring
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.19 EUR
8+11.72 EUR
9+10.25 EUR
10+10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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