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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.21 EUR
31+5.63 EUR
100+4.08 EUR
500+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.43 EUR
39+4.33 EUR
52+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKB40N65EF5ATMA1
Produktcode: 221187
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IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.83 EUR
10+7.19 EUR
100+5.11 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.43 EUR
39+4.43 EUR
52+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.53 EUR
10+6.89 EUR
100+5.09 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.93 EUR
37+4.64 EUR
100+3.25 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.8 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 74A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.09 EUR
35+6.69 EUR
100+4.8 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+6.03 EUR
100+4.84 EUR
500+4.21 EUR
1000+3.89 EUR
2000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.23 EUR
25+7.12 EUR
50+6.94 EUR
100+6.76 EUR
200+6.35 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65EH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.95 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
10+5.82 EUR
100+4.12 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
45+3.84 EUR
46+3.72 EUR
100+3.38 EUR
250+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.09 EUR
34+6.84 EUR
100+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
45+3.76 EUR
46+3.58 EUR
100+3.2 EUR
250+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.17 EUR
2000+2.96 EUR
3000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.41 EUR
30+5.87 EUR
100+4.52 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 3306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+6.31 EUR
100+4.8 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.89 EUR
2000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKBBFVENTIONCategory: RJ45 Cables and Adapters
Description: Patch cord; S/FTP; Cat 8; RJ45 plug,both sides; stranded; OFC; 1m
Contact plating: gold-plated
Type of connection cable: patch cord
Cable structure: 4x2x28AWG
Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug
Wire insulation material: PVC
Insulation colour: black
Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold
Kind of core: OFC
Cable external diameter: 6.4mm
Ethernet category: Cat 8
Core structure: stranded
Kind of cable: S/FTP
Number of cores: 8
Cable length: 1m
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKBBGVENTIONCategory: RJ45 Cables and Adapters
Description: Patch cord; S/FTP; Cat 8; RJ45 plug,both sides; stranded; OFC
Contact plating: gold-plated
Type of connection cable: patch cord
Cable structure: 4x2x28AWG
Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug
Wire insulation material: PVC
Insulation colour: black
Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold
Kind of core: OFC
Cable external diameter: 6.4mm
Ethernet category: Cat 8
Core structure: stranded
Kind of cable: S/FTP
Number of cores: 8
Cable length: 1.5m
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.51 EUR
13+7.04 EUR
20+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKBBHVENTIONCategory: RJ45 Cables and Adapters
Description: Patch cord; S/FTP; Cat 8; RJ45 plug,both sides; stranded; OFC; 2m
Contact plating: gold-plated
Type of connection cable: patch cord
Cable structure: 4x2x28AWG
Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug
Wire insulation material: PVC
Insulation colour: black
Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold
Kind of core: OFC
Cable external diameter: 6.4mm
Ethernet category: Cat 8
Core structure: stranded
Kind of cable: S/FTP
Number of cores: 8
Cable length: 2m
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