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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.56 EUR
2400+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+5.49 EUR
100+4.61 EUR
500+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB013N10NM8ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N10NM8ATMA1Infineon Technologies OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+7.6 EUR
100+5.59 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB013N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB013N10NM8ATMA1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+7.34 EUR
50+5.77 EUR
100+5.27 EUR
500+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.03mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 159nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
10+4.28 EUR
50+3.28 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.06 EUR
164+1.04 EUR
171+0.98 EUR
250+0.93 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
142+1.51 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.09 EUR
163+1.02 EUR
164+0.98 EUR
171+0.9 EUR
250+0.84 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
97+2.42 EUR
142+1.51 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.96 EUR
10+7.83 EUR
100+5.76 EUR
500+5.13 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NInfineon technologies
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.51 EUR
33+5.07 EUR
50+4.84 EUR
100+3.45 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+6.58 EUR
100+4.66 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.03 EUR
34+4.99 EUR
35+4.84 EUR
100+3.47 EUR
250+3.38 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7 EUR
50+5.32 EUR
200+4.74 EUR
500+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.89 EUR
16+5.58 EUR
20+4.38 EUR
23+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.27 EUR
10+7.52 EUR
50+5.93 EUR
100+5.4 EUR
500+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.52 EUR
33+5.19 EUR
50+5.03 EUR
100+3.65 EUR
500+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.03 EUR
34+4.88 EUR
35+4.65 EUR
100+3.28 EUR
250+3.12 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NE8197ATMA1Infineon TechnologiesIPB014N06NE8197ATMA1
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+6.72 EUR
102+6.3 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.79 EUR
21+11.07 EUR
100+8.2 EUR
500+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+8.21 EUR
100+6.12 EUR
1000+4.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
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Produktcode: 62499
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPB015N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPB015N04NGUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IPB015N04NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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10+6.68 EUR
100+4.77 EUR
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
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IPB015N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.52 EUR
53+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.42 EUR
10+6.95 EUR
50+5.45 EUR
100+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.57 EUR
52+3.27 EUR
53+3.17 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+5.02 EUR
100+4.21 EUR
500+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.7 EUR
50+5.07 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12 EUR
25+6.89 EUR
100+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.99 EUR
31+5.63 EUR
32+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.49 EUR
3000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.56 EUR
3000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.99 EUR
31+5.51 EUR
32+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.66 EUR
10+9.94 EUR
50+7.91 EUR
100+7.26 EUR
500+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.02 EUR
25+7.06 EUR
100+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.65 EUR
22+10.79 EUR
100+8.44 EUR
500+7.71 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB015N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2
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IPB016N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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IPB016N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 286 Stücke:
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22+11.77 EUR
37+6.33 EUR
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IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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39+4.3 EUR
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IPB016N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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1000+3.87 EUR
3000+3.65 EUR
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