Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V | auf Bestellung 4164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB014N06NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB014N06NE8197ATMA1 | Infineon Technologies | IPB014N06NE8197ATMA1 | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB014N08NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04N Produktcode: 62499
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB015N04N G | Infineon | N-channel, 40V, 120A, 1.5mOhm Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N04NG | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04NG | UMW | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04NGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N06NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N06NF2SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N08N5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N08N5 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB015N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2 | auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V | auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V | auf Bestellung 5465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB016N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V | auf Bestellung 1197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB016N08NF2SATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N06N3GXT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N08N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N10N5 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N10N5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N10N5 | Infineon | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 136000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2 | auf Bestellung 25981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 18174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB017N10N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 273A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB017N10N5LF | Infineon | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB017N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V | auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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