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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NDP6030ON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030Lonsemi / FairchildMOSFET N-Channel FET LL Enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030LNS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030PLON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030PLFAIRCHIL
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030PLonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6030PL_QON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6035AL
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP603A2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NDP603ALonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP603ALNSC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP603ALonsemi / FairchildMOSFET N-Channel FET LL Enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP603ALFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 34234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 952 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP603ALNS9636
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP605
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP605+1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6050
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6050onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6050L
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6051
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6051Lonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP605A
auf Bestellung 6183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP605BL
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060onsemiMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
50+3.53 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25µΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 144A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ONSEMIDescription: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
50+4.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060Fairchild
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.14 EUR
100+2.98 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060B
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LonsemiMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+3.72 EUR
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.69 EUR
250+3.87 EUR
500+3.34 EUR
1000+2.98 EUR
2500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060Lonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.08 EUR
100+2.95 EUR
500+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.72 EUR
50+3.95 EUR
100+3.58 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.74 EUR
2000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 60nC
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.91 EUR
29+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LONSEMIDescription: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.72 EUR
50+4.71 EUR
100+3.45 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6060L-NL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP606B
auf Bestellung 8910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP610A
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP610BEC
auf Bestellung 8820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP610BEL
auf Bestellung 8820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP6670
auf Bestellung 8686 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP705+1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP705+1L
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050ON SemiconductorNDP7050
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.87 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050onsemiMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 7181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
116+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050ON SemiconductorNDP7050
auf Bestellung 4025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.87 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050ON SemiconductorNDP7050
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+4.87 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050onsemi / FairchildMOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
116+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7050LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7051
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7051L
auf Bestellung 9541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7052
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDP7052L
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NDP7060
Produktcode: 168158
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Transistoren > MOSFET N-CH
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NDP7060onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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NDP7060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NDP7060ONSEMIDescription: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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NDP7060onsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
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NDP7060ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NDP7060Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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NDP7060FAIR96+ TO-220
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NDP7060.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
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NDP7060..ONSEMIDescription: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
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NDP7060LonsemiArray
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NDP7060LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 37.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
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NDP7060L
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NDP7060_NLonsemi / FairchildMOSFET 60V,75A,NCH,ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANS
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NDP7061
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NDP7061onsemi / FairchildMOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
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NDP7061Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 5561 Stücke:
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130+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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NDP7061L
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NDP7061_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
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NDP706AC
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NDP706B
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NDP708A
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NDP708AE
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NDP708AEFairchild SemiconductorDescription: 60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
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141+4.12 EUR
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NDP708AEL
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NDP708B
auf Bestellung 4209 Stücke:
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NDP708BE
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NDP710A
auf Bestellung 4210 Stücke:
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NDP710AE
auf Bestellung 4211 Stücke:
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NDP710AL
auf Bestellung 22 Stücke:
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NDP710B
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