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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.35 EUR
10+20.68 EUR
100+17.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.39 EUR
10+23.32 EUR
13+17.84 EUR
50+16.68 EUR
100+15.53 EUR
250+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.5 EUR
11+20.93 EUR
50+18.5 EUR
100+16.09 EUR
250+15.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.78 EUR
9+27.5 EUR
11+20.93 EUR
50+18.5 EUR
100+16.09 EUR
250+15.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
10+15.82 EUR
100+12.09 EUR
500+11 EUR
1000+10.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.35 EUR
10+20.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.96 EUR
50+19.39 EUR
100+16.79 EUR
250+16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.73 EUR
10+16.4 EUR
100+12.23 EUR
500+11.35 EUR
1000+10.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.08 EUR
10+21.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.41 EUR
9+28.8 EUR
10+21.96 EUR
50+19.39 EUR
100+16.79 EUR
250+16.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 60 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 60 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs SOT8107 1200V 36A N-CH
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.5 EUR
10+13.45 EUR
100+10.33 EUR
500+9.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.43 EUR
10+13.39 EUR
100+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF0610
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.46 EUR
10+24.53 EUR
12+19.15 EUR
50+17.35 EUR
100+15.55 EUR
250+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.87 EUR
10+18.11 EUR
100+14.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.98 EUR
10+13.86 EUR
100+11.27 EUR
800+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.53 EUR
12+19.15 EUR
50+17.35 EUR
100+15.55 EUR
250+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 202W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.97 EUR
12+20.42 EUR
13+17.14 EUR
50+15.45 EUR
100+13.73 EUR
250+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.98 EUR
10+10.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
auf Bestellung 233 Stücke:
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1+16.56 EUR
10+9.51 EUR
510+7.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.64 EUR
4+24.55 EUR
10+22.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+35.99 EUR
8+29.98 EUR
10+24.48 EUR
50+23.29 EUR
100+22.11 EUR
250+20.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NSF080120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.08 EUR
10+21.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF080120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+15.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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NSF080120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.6 EUR
10+17.85 EUR
510+11.16 EUR
1020+10.31 EUR
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NSF080120T1A1-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NSF080120T1A1-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NSF080120T1A1HPNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NSF080120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NSF150
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF2250WT1
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF2250WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 32950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3210+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3210 Stücke
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NSF2250WT1G
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
Produkt ist nicht verfügbar
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NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
Produkt ist nicht verfügbar
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NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE STInterlightDescription: Replacement for Nissan NSF25 Yea
Part Status: Active
Type: Starter
Packaging: Retail Package
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NSF250
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF350
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF360
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF460
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NSF8BT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSF8BT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NSF8BTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSF8DT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NSF8DT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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NSF8DTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
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NSF8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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NSF8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8GT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8GT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8GTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NSF8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8JT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8JTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8KT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8KT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8KTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8MT-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8MT-E3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8MTHE3/45Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC102J100TRB2F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC103J100TRC3F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC104J16TRC3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC104J16TRC3F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC104J50TRD2NIC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC123J100TRD1F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC123J16TRB2F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC124J16TRD1F
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSFC224J16TRD2
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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