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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPW4066-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 4
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4066-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 4
auf Bestellung 23880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
17+1.29 EUR
25+1.07 EUR
100+0.83 EUR
250+0.7 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4157-CR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4157-CR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.5 EUR
25+1.25 EUR
100+0.98 EUR
250+0.83 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4157-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.23 EUR
16+1.36 EUR
25+1.13 EUR
100+0.87 EUR
250+0.75 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4157-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
-3db Bandwidth: 100MHz
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP
auf Bestellung 28262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.53 EUR
100+2.57 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.2 EUR
5000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 116A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.67 EUR
100+3.14 EUR
250+2.64 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 3300 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
59+3.96 EUR
100+2.65 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R008NHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 11854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.33 EUR
2000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
auf Bestellung 4918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+4.08 EUR
100+2.87 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1Q(MToshibaTPW4R50ANH,L1Q(M
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.21 EUR
67+2.57 EUR
100+2.34 EUR
200+2.27 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 3700 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
50+4.64 EUR
100+3.26 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW5200FNH,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.26 EUR
100+2.98 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.02 EUR
32+7.43 EUR
100+4.95 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPW6110FiltranТрансформатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWA02B-TF21
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWA10B-TF21
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWBOOM1Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWBOOM8Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+104.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWCC16B-TC10MURATA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWDS-BBE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWDS-BBE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWDS-BBE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWDS-BBE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWDS-BBE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TPWDS-BBE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BBM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BBM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BBM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWE066DKHN-T6Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWE066DKHN-TUGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWE090DKHN-TAGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN AGP FMALE 180POS 0.039 GOLD
Read Out: Dual
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Pitch: 0.039" (1.00mm)
Number of Positions: 180
Mounting Type: Through Hole
Color: Brown
Contact Finish: Gold
Gender: Female
Features: Board Guide
Packaging: Tray
Number of Rows: 2
Contact Material: Phosphor Bronze
Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm)
Termination: Solder
Card Type: AGP Pro Universal
Contact Type: Cantilever
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWE121DKRN-T621Sullins Connector SolutionsDescription: CONN CPU SLOT 1 FEMALE 242POS
Number of Rows: 2
Number of Positions/Bay/Row: 73; 48
Contact Material: Phosphor Bronze
Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm)
Termination: Solder
Card Thickness: 0.063" (1.60mm)
Card Type: CPU - Slot 1
Contact Type: Cantilever
Read Out: Dual
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Pitch: 0.039" (1.00mm)
Number of Positions: 242
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Color: Brown
Contact Finish: Gold
Gender: Female
Features: Card Extender
Packaging: Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWF18LTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+218.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWF18L-2Technical ProDescription: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+424.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWJB12PKGTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+209.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWM1352Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWM1641Technical ProDescription: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W
Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz
Height (Max): 1.750" (44.45mm)
Port Location: Bottom
Direction: Cardioid
Termination: Solder Pads
Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm)
Output Type: Analog
Packaging: Tape & Box (TB)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+523.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWM241Technical ProDescription: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+121.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWPH15Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR001Microchip TechnologyDescription: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PL,L1QToshibaMOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 18773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+4.99 EUR
100+3.62 EUR
500+3.03 EUR
2500+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 9903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.81 EUR
100+3.38 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 412A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 412A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
44+5.36 EUR
100+3.45 EUR
500+3.15 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR6003PLL1Q(MToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PBToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 6809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PB,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 9354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+3.2 EUR
100+2.57 EUR
250+2.37 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.83 EUR
2500+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 4180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.49 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR7904PB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 4180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
43+5.45 EUR
100+3.49 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PLToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
63+2.73 EUR
65+2.62 EUR
100+2.31 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 13504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.14 EUR
10+4.7 EUR
100+3.3 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
63+2.67 EUR
65+2.52 EUR
100+2.19 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1QToshibaMOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
auf Bestellung 10040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.12 EUR
10+4.69 EUR
100+3.28 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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