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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UMH1NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH1NTNROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL NPN 50V 30MA
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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UMH1NTR
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2 NFS TNROHMSOT363-H2 PB-FRE
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2 NFS TN SOT363-H2 PBROHM
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2/H2ROHM
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NFHATNROHMDescription: ROHM - UMH25NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.95 EUR
410+0.57 EUR
820+0.26 EUR
962+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NFHATNROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V digital transistor. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without external input resistors.
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NFHATNROHMDescription: ROHM - UMH25NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
402+0.58 EUR
807+0.26 EUR
848+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
38+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH25NTNROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V
auf Bestellung 919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NROHM07+ SOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2N TNROHM04+
auf Bestellung 1392 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2N-TN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2N-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
32+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2N-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2N-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - Pre-Biased 61.1KOhms 250MHz
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NFSTNSOT363-H2PB-FREE
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NL02TV(H2)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
391+0.43 EUR
395+0.4 EUR
400+0.39 EUR
665+0.23 EUR
851+0.17 EUR
884+0.15 EUR
1180+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
auf Bestellung 5074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.67 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTNROHM09+
auf Bestellung 28608 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
33+0.64 EUR
100+0.39 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2NTN(H2)
auf Bestellung 4945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2TN-UM6ROHM00+ SC-88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH2TR(H2)
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3/H3ROHM09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNRohm SemiconductorDescription: NPN+NPN, SOT-363, DUAL DIGITAL T
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 35MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.33 EUR
539+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V
auf Bestellung 5922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNRohm SemiconductorDescription: NPN+NPN, SOT-363, DUAL DIGITAL T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH33NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.63 EUR
300+0.57 EUR
328+0.51 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 20V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 20V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH37NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 20V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NHXY MOSFETTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W TSSOP-6 (SC-88, SOT-363) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NROHM
auf Bestellung 57200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NYangjie Electronic TechnologyUMH3N
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.057 EUR
60000+0.052 EUR
120000+0.048 EUR
300000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3N-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhm
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNROHMDescription: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
541+0.43 EUR
863+0.25 EUR
1165+0.18 EUR
1397+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATN
Produktcode: 208037
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNROHM SemiconductorDigital Transistors NPN+NPN SOT-363 4.7kO Input Resist
auf Bestellung 9009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
589+0.33 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NFHATNROHMDescription: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.76 EUR
541+0.43 EUR
863+0.25 EUR
1165+0.18 EUR
1397+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
auf Bestellung 13435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.48 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohmTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W TSSOP-6 (SC-88, SOT-363) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 9093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.48 EUR
573+0.3 EUR
774+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNROHMDescription: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
404+0.57 EUR
625+0.35 EUR
834+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
828+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 828 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 9093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.48 EUR
573+0.3 EUR
774+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 14895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTNROHMDescription: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMH3N Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+1.04 EUR
404+0.57 EUR
625+0.35 EUR
834+0.26 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH3NTRROHM
auf Bestellung 264200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4/H4
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH400
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NROHM03/04+ SOT-363
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NFHATNRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NFHATNROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101)
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.58 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTL
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTNROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.63 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTNRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTN(H4)
auf Bestellung 291000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4NTNSOT363-H4ROHM
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4TL(H4)
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4TN
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4TN(H4)
auf Bestellung 95495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH4TR
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5ROHM
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5 TR/H5ROHMSMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5/H5
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5N
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5NTRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1086+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1086 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMH5TR(H5)
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