Produkte > XP6

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 [ Nächste Seite >> ]

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Privatkunde

XP60SL600DH

Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP60SL600D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.98 EUR
86+	2.71 EUR
100+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP60SL600DIN

N-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP60SL650AFH

N-channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6112-TX

09+

auf Bestellung 3018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6114

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6114/CK

auf Bestellung 8550 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6115-(TX)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6115-(TX)(6X)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP611FH

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6206P332MR

auf Bestellung 57200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6210-(TX)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6210-(TX)/CR

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6211

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6211-(TX)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6212-TX

09+

auf Bestellung 3018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6213-(TX)

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6213-TX

09+

auf Bestellung 3018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6214

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6214-(TX)

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6214-(TX)(AA)

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6215

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6215-TX

09+

auf Bestellung 3018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6215/8X

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6216

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6216-(TX)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP626AO

09+ .

auf Bestellung 455 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP62FP1502PR

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6401

03+

auf Bestellung 2911 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6401-(TX)

auf Bestellung 1555 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6401-TX

auf Bestellung 1770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6401-W

SOT26/

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6401/50

auf Bestellung 7800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6435-(TX)

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501

SOT363

auf Bestellung 4178 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501 / 5N

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501-(TX)

SOT23-6

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501-(TX)/5N

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501-TX

auf Bestellung 2079 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6501/5N

09+

auf Bestellung 6018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6534

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6534-TX

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6534-TX/7F

auf Bestellung 900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6534-W

auf Bestellung 14324 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543

SOT-563

auf Bestellung 780000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-(TX)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-Q

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-Q(TX)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-R

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-R(TX)

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-R(TX).TD/XP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6543-TX

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2I

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2IN

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2IT

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
50+	1.7 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2IT

MOSFETs N-CH 650V 7A TO-220CFM-T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2IT

Description: YAGEO XSEMI - XP65AN1K2IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.2 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65AN1K2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.55 EUR
97+	2.42 EUR
106+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2J

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2P

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65AN1K2S

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL190DI

MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.07 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.23 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL190DI

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.52 EUR
50+	3.83 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL190DI

Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL190D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	7.12 EUR
56+	4.18 EUR
100+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL380DH

Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.44 EUR
124+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL380DH

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 100 V

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.25 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL380DH

Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

62+	4.07 EUR
96+	2.44 EUR
124+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 62 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL380DH

MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.02 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.24 EUR
6000+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP65SL380DH

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6677GH

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6677GH

Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.03 EUR
112+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6677GH

MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.24 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.47 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.48 EUR
3000+	2.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6677GH

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.21 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.45 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6677GH

Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6677 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	3.55 EUR
77+	3.03 EUR
112+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 71 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP686AO

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP687A0

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP687AD

DIP

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP687AO

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6932MT

Description: MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.78W (Ta), 2.08W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6A100M

Description: MOS DUAL N 60V 3.3A 100MOHM SO-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6A100M

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6N090N

Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.61 EUR
681+	0.31 EUR
1093+	0.19 EUR
1336+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6N090N

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6N090N

Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6N090 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

282+	0.89 EUR
385+	0.61 EUR
681+	0.31 EUR
1093+	0.19 EUR
1336+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 282 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6N090N

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.82 EUR
30+	0.71 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R4CXT

Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.71 EUR
10+	13.47 EUR
100+	11.22 EUR
500+	9.9 EUR
1000+	8.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R4CXT

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R4CXT

MOSFETs N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	3.42 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.87 EUR
3000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R4CXT

Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R4CXT

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R4C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.7 EUR
68+	3.44 EUR
100+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R7CMT

MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.71 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R7CMT

Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.06 EUR
10+	2.77 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R7CMT

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.69 EUR
127+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R7CMT

Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA1R7CMT

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP6NA1R7C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.47 EUR
87+	2.69 EUR
127+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA2R4IT

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 2400 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.92W
Bauform - Transistor: TO-220CFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5 EUR
95+	2.46 EUR
100+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA2R4IT

MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.42 EUR
10+	14.05 EUR
25+	12.76 EUR
100+	11.73 EUR
250+	11.02 EUR
500+	10.34 EUR
1000+	9.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA2R4IT

Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	16.53 EUR
50+	13.21 EUR
100+	11.82 EUR
500+	10.42 EUR
1000+	9.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA3R0H

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.88 EUR
102+	2.3 EUR
144+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA3R0H

MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA3R0H

Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	3.88 EUR
102+	2.3 EUR
144+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 65 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

XP6NA3R5IT

Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220CFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.2 EUR
50+	8.08 EUR
100+	6.93 EUR
500+	6.15 EUR
1000+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 [ Nächste Seite >> ]