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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
ZXM62P02E6TAZETEX03/04+ SOT23-6
auf Bestellung 21100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P02E6TAPBF
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6ZETEX07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
108+1.99 EUR
500+1.45 EUR
1500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
135+1.73 EUR
195+1.11 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.54 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P-Chnl HDMOS
auf Bestellung 4101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 13539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.19 EUR
100+0.83 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.625W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
94+0.92 EUR
129+0.65 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 800mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TCDiodes IncorporatedMOSFET 30V P Chnl HDMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03GZETEX07+ SOT223
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03GTA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63C02ZETEX2004
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63C02X8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63C02XTA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63C03ZETEX2004
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63C03XTA
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63N02
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDiodes Inc.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63N02E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63N02XTA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63N03XTA
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63P02
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63P02E6TAZETEX2004
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63P02XTA
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM63P03XTA
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTAZETEXTSSOP8
auf Bestellung 14694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035ZETEX02+ TO-220
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GT
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GTAZETEXSOT223
auf Bestellung 23790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035GTA12A/35V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N035L3ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N03XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N03XTA
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64N03XTR-NDZETEX2004
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTADiodes Inc./ZetexMOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
auf Bestellung 9645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
10+2.09 EUR
100+1.63 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.46 EUR
55+1.56 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Chnl HDMOS
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.15 EUR
2000+1.07 EUR
3000+1.02 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P02XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GT
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GTAZETEXSOT223
auf Bestellung 5990 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035GTA12A/35V
auf Bestellung 6200 Stücke:
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ZXM64P035L3ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P035L3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
77+3.03 EUR
111+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XDiodes IncorporatedMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
116+1.84 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
auf Bestellung 7884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
10+2.3 EUR
100+1.78 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.25 EUR
2000+1.15 EUR
3000+1.11 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V P Chnl HDMOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM64P03XTR-NDZETEX2004
auf Bestellung 679 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66N02ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66N02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66N03ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66N03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02SO-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8TA
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedMOSFET 20V P-Chnl HDMOS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P02N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P03ZETEX09+ SO-8
auf Bestellung 1291 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P03N8ZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM66P03N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8Diodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC10A816N8TA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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