Produkte > SI7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SI7390DP-T1-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7390DP-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7390DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7390DP-T1-GE3 Produktcode: 147839
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7390DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7390DP-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392 | VISHAY | 05+ | auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392DP | VISHAY | 0748+ SOP8 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392DP-T1 | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7392DP-T1-E3 | VISHAY | 2003 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7392DP-TI-E3 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7392DPT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7392DY-T1 | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI73C-01200 | Утримувач nanoSim карти типу PUSH-PUSH з контактом наявності картки HOLDER | auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI73C-01200 Produktcode: 198976
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
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| SI7401DN-T1 | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7402DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403BDN | SI | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403DN | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403DN-T1 | SILICON | 03+ | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7403DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7404 | SI | O6 | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7404DN | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7404DN-T1 | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7404DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7404DN-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7404DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7404DN-TI-E3 | auf Bestellung 6395 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7405 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V | auf Bestellung 1993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-GE3 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V | auf Bestellung 5820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7405BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7405DN | SI | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7405DN-T1 | VISHAY | auf Bestellung 17454 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SI7405DN-T1-E3 | VISHAY | 05+/06 | auf Bestellung 5317 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7407DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7409ADN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7409ADN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7409ADN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7409ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7409DN-T1 | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7409DN-T1-E3 | auf Bestellung 4220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7411 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7411DN | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7411DN-T1 | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7411DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7411DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7411DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7411DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7411DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7412DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7413DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7413DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7413DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7413DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414 | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7414DN | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7414DN-T1 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7414DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 26742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 31052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-E3 | Vishay | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-GE3 | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 5689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | auf Bestellung 7267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 31400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7414DN-T1-GE3. | VISHAY | Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7415DN | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7415DN-T1 | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7415DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 76000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7415DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 14177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 76227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 31078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7415DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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