Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFS4410ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | auf Bestellung 3591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 2166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS450 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS450B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B Produktcode: 37978
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS450B | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel B-FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B | On Semiconductor | N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510PBF | IRFS4510PBF Транзисторы | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 26400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 26400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 37600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610 Produktcode: 99518
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 73 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 11 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3550/90 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRL | IR | 08+ SMD | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615PBF Produktcode: 53677
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В Drain-Strom Idd, A: 33 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 42 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1750/26 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615TRL | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 34,5mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS4615TRL; IRFS4615; IRFS4615-GURT; IRFS4615 TIRFS4615 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg | auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 564800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 572000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620 | International Rectifier | N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 144 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0637 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620PBF | Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620PBF Produktcode: 74099
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В Drain-Strom Idd, A: 24 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 63,7 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg | auf Bestellung 7328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | auf Bestellung 21600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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