Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFS7434TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | auf Bestellung 767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7437-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 195A, 1.4 mOhm 150 nC Qg, D2-7pin | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, D2-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 231W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 32356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.5mOhm 150nC StrongIRFET | auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7437TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF Produktcode: 176698
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET | auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | auf Bestellung 4260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7437TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 65300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440PBF | Infineon / IR | MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, D2-Pak | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440PBF Produktcode: 187317
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET | auf Bestellung 3893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | auf Bestellung 6261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7440TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS750A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS750A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS750A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS750A | ON Semiconductor | IRFS750A | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS750A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7530-7P | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF Produktcode: 142856
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS7530-7PPBF | International Rectifier | MOSFET N-Ch 60V 240A TO-263-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530-TRL7PP | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 240 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12960 @ 25, Qg, нКл = 354 @ 10 B, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,7 @ 250 мкА, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | auf Bestellung 1849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP Produktcode: 115659
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | auf Bestellung 6457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | auf Bestellung 2194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 236nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRL7PP | International Rectifier | N-Channel 60V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | auf Bestellung 6692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7530TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS7530TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2mΩ Trade name: StrongIRFET Gate charge: 274nC Gate-source voltage: ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS75347PPBF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534PBF | International Rectifier | 60 V, 240 A, D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS7534TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 380mOhm; 232A; 294W; -55°C~175°C; Substitute: IRFS7534TRL7PP; IRFS7534TRL; IRFS7534 TIRFS7534 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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