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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+4.11 EUR
100+3.72 EUR
500+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 551350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 426A
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
29+2.98 EUR
33+2.64 EUR
100+2.19 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
10+5.37 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.87 EUR
48+3.5 EUR
100+2.59 EUR
500+2.24 EUR
800+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.61 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.87 EUR
48+3.58 EUR
100+2.7 EUR
500+2.37 EUR
800+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.35 EUR
47+3.67 EUR
100+2.71 EUR
500+2.36 EUR
800+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7430TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.95 EUR
1600+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.00125 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434PBFInfineon / IRMOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
auf Bestellung 5209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+4.93 EUR
100+4.46 EUR
500+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
43+3.95 EUR
50+3.8 EUR
100+2.4 EUR
800+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.51 EUR
2400+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInternational RectifierTransistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
43+3.87 EUR
50+3.65 EUR
100+2.28 EUR
800+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PP
Produktcode: 191369
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.26 EUR
50+4.89 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
43+5.5 EUR
50+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 229A; Idm: 1.3kA; 245W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.28 EUR
48+3.52 EUR
57+2.82 EUR
100+2.2 EUR
800+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
auf Bestellung 14115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.07 EUR
50+3.12 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
58+4.01 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 294W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 294W
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 216nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.28 EUR
48+3.59 EUR
57+2.93 EUR
100+2.33 EUR
800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRLPBFInfineon
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437-7PPBFInfineon / IRMOSFET 40V, 195A, 1.4 mOhm 150 nC Qg, D2-7pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS7437PBFInfineon / IRMOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, D2-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS7437TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 195A 1.5mOhm 150nC StrongIRFET
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+4.21 EUR
100+3.42 EUR
500+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.88 EUR
1600+1.83 EUR
2400+1.77 EUR
4000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7437TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 231W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
52+3.24 EUR
100+2.32 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.15 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
50+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS7437TRL7PPInfineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
52+3.31 EUR
100+2.4 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+3.15 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.74 EUR
10000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7437 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.87 EUR
1600+1.78 EUR
2400+1.7 EUR
4000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.61 EUR
2400+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 65300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.71 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.95 EUR
30+2.89 EUR
50+2.34 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBF
Produktcode: 176698
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
250+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
auf Bestellung 4238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
auf Bestellung 4452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+3.72 EUR
100+3.37 EUR
500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
64+2.68 EUR
100+1.84 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
58+4.06 EUR
68+3.19 EUR
100+2.94 EUR
250+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
64+2.62 EUR
100+1.78 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7440Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7440PBFInfineon / IRMOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, D2-Pak
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IRFS7440PBF
Produktcode: 187317
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFS7440TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
48+4.86 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 14949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.25 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET
auf Bestellung 3008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.27 EUR
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
800+2.28 EUR
2400+2.24 EUR
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.58 EUR
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.47 EUR
82+2.03 EUR
83+1.94 EUR
118+1.31 EUR
800+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFS7440TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.28 EUR
2400+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.47 EUR
82+2.07 EUR
83+2.01 EUR
118+1.38 EUR
800+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFS750AON SemiconductorIRFS750A
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRFS750AonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFS750AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS750A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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IRFS750AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
144+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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IRFS7530Infineon Technologies
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IRFS7530-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
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IRFS7530-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
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IRFS7530-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
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