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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7530PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7530PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.24 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7534PBFInfineon / IRMOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 23830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.81 EUR
10000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7534PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7534PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7534PBF - IRFSL7534 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 173A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.27 EUR
10+5.46 EUR
100+3.87 EUR
500+3.18 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7537PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 173
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 230
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+4.88 EUR
100+3.62 EUR
250+3.61 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7540PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7730PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+7.64 EUR
100+6.24 EUR
500+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7730PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
163+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7730PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7730PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFInternational RectifierDescription: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.78 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7734PBF - IRFSL7734 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7734PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 183A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7762PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7787PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL7787PBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+4.21 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.94 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60APBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSZ34A
Produktcode: 7956
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FSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSZ34AFAIRCHILD2003
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSZ44SAMSUNGTO-55
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFT001IORZIP
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFT002IR
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFT003IORZIP
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTOXIC10PADSIOR2007
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTOXIC8PADSIOR2007
auf Bestellung 380 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFTS8342TR; SP001552394; IRFTS8342TR JGSEMI TIRFTS8342 JGS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
250+0.81 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.95 EUR
414+0.56 EUR
629+0.35 EUR
690+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRFTS8342TRPBFInternational RectifierMOSF N CH 30V 8.2A TSOP6 Транзистори
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IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 16349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+0.38 EUR
715+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineonMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFTS9342TRPBF
Produktcode: 87001
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 16432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.9 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.71 EUR
100+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 595 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 5,8 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInternational RectifierMOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFTS9342TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.04 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.69 EUR
262+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.73 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFTS9342TRPBFIRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU-9310International Rectifier/InfineonР-канальний ПТ, Udss, В = -400, Id = -1,8, Ptot, Вт = 50, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25, Qg, нКл = 13, Rds = 7 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU010FAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014
Produktcode: 77976
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 7,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 01.11.300
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU014PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014AOU454AO
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
182+0.94 EUR
202+0.83 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.74 EUR
2025+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 7.7 Amp
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+1.68 EUR
100+1.5 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
75+1.73 EUR
150+1.56 EUR
525+1.3 EUR
1050+1.19 EUR
2025+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.02 EUR
183+0.92 EUR
203+0.8 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IRFU020Vishay / SiliconixMOSFET N-Chan 50V 15 Amp
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IRFU020Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
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IRFU020
auf Bestellung 9980 Stücke:
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IRFU020
Produktcode: 110891
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IRFU020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
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IRFU020PBFVishay Siliconix14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 Транзистори
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