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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP
Produktcode: 123114
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Produkt ist nicht verfügbar
4+0.36 EUR
10+0.3 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APFairchildP-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 31772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
212+1.09 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.1nC
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.8 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658AP-GFairchild SemiconductorDescription: FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658APGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.8 EUR
232+0.76 EUR
268+0.64 EUR
271+0.62 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
auf Bestellung 1594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1206+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
50+1.12 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 3915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
151+1.54 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.15 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.46 EUR
161+1.07 EUR
163+1.01 EUR
213+0.75 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.93 EUR
225+0.76 EUR
232+0.71 EUR
268+0.6 EUR
271+0.56 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 3915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
151+1.54 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P-NN0530NO
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P_NB4E011ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC658P_NLONS/FAIP-Channel MOSFET (SuperSOT-6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6901LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6901L-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697Ponsemi / FairchildMOSFET PCh 1.8V PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697PFairchild SemiconductorDescription: 8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
auf Bestellung 69811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P-NLFAIRCHILD
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P/.697FAIR
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
auf Bestellung 4762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
544+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC699P - MOSFET, P, SMD, FLMP, SSOT-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
auf Bestellung 4762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
110+2.11 EUR
133+1.61 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699PON SemiconductorFDC699P
auf Bestellung 2016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+1.44 EUR
515+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699Ponsemi / FairchildMOSFET P-Channel 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699PON SemiconductorFDC699P
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
464+1.44 EUR
515+1.27 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 464 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699P-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC699P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC7250066C-81001BCorning FDC Stbd Hdwr Rack Mount FDC-C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC72C65LJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+20.48 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC72C65PSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+14.09 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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FDC765SMCPLCC44
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC765ASMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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35+15.73 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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FDC765ALJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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61+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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FDC765ALJTMCBSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC765APSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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FDC796Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC796NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
auf Bestellung 983985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
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FDC796N-NLFairchild
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC796N/.796FAIR
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC796N_F077onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC796N_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench
auf Bestellung 12776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+1 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.75 EUR
329+0.52 EUR
454+0.37 EUR
587+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.87 EUR
272+0.64 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1300+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
331+0.54 EUR
474+0.37 EUR
519+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.54 EUR
454+0.38 EUR
587+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.88 EUR
270+0.64 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855NFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 5201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
861+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 861 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC855N-NLFairchild
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.45 EUR
99+1.77 EUR
135+1.27 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 6620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.48 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.46 EUR
99+1.75 EUR
134+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.98 EUR
6000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.74 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 12033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+2.09 EUR
100+1.39 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.65 EUR
100+1.89 EUR
200+1.69 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602onsemi / FairchildMOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 9092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.18 EUR
81+2.13 EUR
94+1.76 EUR
114+1.4 EUR
500+1.02 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
102+2.27 EUR
113+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602onsemiMOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
auf Bestellung 16109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 690mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.68 EUR
50+2.02 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC8602ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH