Produkte > FDC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| FDC658AP | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658AP | onsemi / Fairchild | MOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET | auf Bestellung 28254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC658AP-G | Fairchild Semiconductor | Description: FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658APG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V | auf Bestellung 6043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC658P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V | auf Bestellung 2349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 7745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 13047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC658P | onsemi | MOSFETs SSOT-6 P-CH -30V | auf Bestellung 3489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC658P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 7745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC658P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC658P-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC658P-NN | FAZ | 0530NO | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658P_NB4E011 | ON Semiconductor | Description: IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC658P_NL | ONS/FAI | P-Channel MOSFET (SuperSOT-6) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6901L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC6901L-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC697P | Fairchild Semiconductor | Description: 8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V | auf Bestellung 69811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC697P | FAIRCHILD | 0746+ VSOP-6/1210-6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC697P | onsemi / Fairchild | MOSFET PCh 1.8V PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC697P-NL | FAIRCHILD | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC697P/.697 | FAIR | auf Bestellung 282000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC697P_F077 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC697P_F077 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC699P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Channel 2.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC699P | ON Semiconductor | FDC699P | auf Bestellung 2016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC699P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC699P - MOSFET, P, SMD, FLMP, SSOT-6 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | auf Bestellung 4762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC699P | ON Semiconductor | FDC699P | auf Bestellung 2444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC699P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V | auf Bestellung 4762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC699P-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC699P_F077 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC7250066C-81001B | Corning | FDC Stbd Hdwr Rack Mount FDC-C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC72C65LJP | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC72C65P | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC765 | SMC | PLCC44 | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC765A | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC765ALJP | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC765ALJTMCB | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC765AP | SMSC | Description: FLOPPY DISK CONTROLLER Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC796N | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 7893 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC796N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC796N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V | auf Bestellung 983985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC796N-NL | Fairchild | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC796N/.796 | FAIR | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC796N_F077 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC796N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | FAIRCHILD | auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 1.6 Bauform - Transistor: SuperSOT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 3487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Single NCh Logic Level PowerTrench | auf Bestellung 12776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC855N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC855N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC855N-NL | Fairchild | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 12033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 2289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | auf Bestellung 6620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 6331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 690mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | auf Bestellung 7167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | onsemi / Fairchild | MOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 9092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC8602 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDC8602 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.285 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.285ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.285ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC8602 | onsemi | MOSFETs NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET | auf Bestellung 16109 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8602 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 690mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC8602 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC86244 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 7263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC86244 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V | auf Bestellung 22563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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