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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTHS5402
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5402T1 - NTHS5402T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1687+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404-T1
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
auf Bestellung 26169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5404T1 - NTHS5404T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 26169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiMOSFET 20V 7.2A N-Channel
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.12 EUR
100+1.62 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
477+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404TIG
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441/A3L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441DC-T1
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5441T1 - NTHS5441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1onsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GON
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1 - NTHS5443T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2084 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 568346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.9A P-Channel
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1H - PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5445T1 - NTHS5445T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1781+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHSG2M35A472K04TE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHSL1100CPAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHSL1100CP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHSL1200YPAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NTHSL1200YP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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