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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTHS1206N17N1503JEVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
Part Status: Active
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±5%
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistance in Ohms @ 25°C: 150k
B Value Tolerance: ±3%
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
16+1.31 EUR
25+1.23 EUR
50+1.17 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503JGVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 5% 1206
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503JRVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 5% 1206
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503JUVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503KEVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
Part Status: Active
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±10%
Resistance in Ohms @ 25°C: 150k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503KGVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 10% 1206
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503KRVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 150K OHM 10% 1206
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N1503KUVishay DaleDescription: THERM NTC 150KOHM 4064K 1206
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 200KOHM 4247K 1206
B25/75: 4247K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
B Value Tolerance: ±3%
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 200KOHM 4064K 1206
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
B25/75: 4064K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JEVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4247K 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JFVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
Packaging: Bulk
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 4073K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4064K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JPVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JPVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N17N2203JRVishay DaleDescription: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206
Part Status: Active
B25/75: 4064K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 220k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4073K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N1N5002JFVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50Kohms 5%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N1N6802KEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1206N4N2203KEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 220Kohms 10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS1210N04N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 4247K 1210
B25/75: 4247K
Resistance Tolerance: ±5%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
B Value Tolerance: ±3%
B25/85: 4262K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS2101PT1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.4 A, 0.019 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 681279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 611979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 6.4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1GON07+ TSOP1206-8
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS2101PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1ON09+
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
224+0.76 EUR
231+0.71 EUR
270+0.58 EUR
272+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GonsemiMOSFETs -20V -6.7A P-Channel
auf Bestellung 8107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.77 EUR
100+0.86 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
auf Bestellung 7781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
100+1.3 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4101PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4111PT1 - NTHS4111PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1onsemiDescription: P-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1
auf Bestellung 3791 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1562+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4111PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4111PT1G - NTHS4111PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4166NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4166NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4166NT1GonsemiMOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4166NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4501NT1 - NTHS4501NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1G
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 24 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.7 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 465350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 24 V
auf Bestellung 462350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS4502N
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5402T1 - NTHS5402T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5402T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404-T1
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5404T1 - NTHS5404T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 26169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
auf Bestellung 26169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
477+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GON Semiconductor
auf Bestellung 8133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiMOSFET 20V 7.2A N-Channel
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+2.12 EUR
100+1.62 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5404TIG
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441/A3L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441DC-T1
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441PT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2049+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1onsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5441T1 - NTHS5441T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiMOSFETs -20V -5.3A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GON
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5441T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2084 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1 - NTHS5443T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON(°ІЙ­ГА)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.9A P-Channel
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 568346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5443T1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5443T1H - PFET CHPFT 20V 4.9A 65MOH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHS5445T1 - NTHS5445T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1781 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1onsemiDescription: MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHS5445T1
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHSG2M35A472K04TE
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